英國新一期《自然》雜志刊載新研究說，科研人員開發出一種分子材料，可克服傳統電子元件造成的閃存空間限制問題，使存儲卡提升存儲能力。閃存是一種很普遍的數據存儲技術，但由于現有的數據單元設計問題，限制了傳統硅芯片所能存儲的空間。

      為此，英國格拉斯哥大學研究人員與西班牙同行一起，利用一種被稱為“多金屬氧鹽酸”的化合物，合成出一類可發揮存儲作用的分子。實驗顯示，這種分子的結構穩定性和通電能力都符合要求，可用作閃存裝置的存儲節點。

      研究人員表示，這種新材料好處在于，它們可直接安裝在現有的閃存設備中，而不需要重新設計整條閃存裝置生產線，在擴大存儲空間的同時還可節約成本。