澳大利亞墨爾本皇家理工大學的科學家用非晶鈣鈦礦氧化物開發出一種納米級超快憶阻器。研究人員稱，這種新型憶阻器為高度穩定可靠的納米級存儲設備的發展提供了一個新的平臺，今后有望成為制造人工大腦的關鍵部件。相關論文將作為封面文章發表在11月11日出版的《先進功能材料》雜志上。

      憶阻器也稱記憶電阻，被認為是除電阻器、電容器及電感元件之外的第四種基本元件。其獨特之處在于在關閉電源后，仍然能夠“記住”先前從其中通過的電荷量，幾組憶阻器在一起就具有與晶體管相同的功能。借助憶阻器，手機可以數周甚至更久的時間都不用充電，電腦將能夠實現瞬間開機，與目前的閃存相比，憶阻器存取速度更快、耗能更少、體積更小。

      領導此項研究的澳大利亞墨爾本皇家理工大學功能材料與微系統研究小組的沙拉斯·斯利拉姆博士說，目前的閃存技術正在逐漸接近極限，必須要尋找出一種創新材料和體系來開發出下一代非易失性存儲設備。物理學家組織網9月30日報道稱，為此，斯利拉姆的研究小組采用了一種納米級的薄膜材料來制造憶阻器，這種功能性氧化物比人類頭發的直徑薄1000倍。這種材料在化學上具有“憶阻”效應，存儲在其中的數據具有非易失性。

      斯利拉姆說：“我們開發出的這種憶阻器在電子設備中具有廣泛的應用價值，無論是能收縮到納米尺度的超快存儲設備，還是基于計算機邏輯體系架構的生物神經網絡存儲器。未來這種憶阻器將能夠替代目前所廣泛使用的閃存、固態硬盤，讓電子設備更快、更輕、使用時間更長。雖然目前還有很多的研究需要做，但已經能夠肯定的是，新發現為尋找下一代內存技術、復制人類神經系統的復雜功能，進而開發出仿生大腦的研究鋪平了道路。