“半導體奧運會”的主角將重返賽場。在2014年2月9～13日于美國舉辦的“International Solid-State Circuits Conference（ISSCC） 2014”上，世界最大的半導體企業美國英特爾公司將沉寂兩年后再次發表論文，介紹已于2013年中期投放市場的22nm工藝微處理器“Haswell（開發代碼）”等8項成果（表1）。

　　除了數字領域，英特爾在儲存器、通信、模擬、攝像元件等領域也收獲頗豐。小于20nm的微細化技術、著眼于后微細化時代的三維化技術、省電力技術等最新成果也源源不斷。

　　英特爾將命運托付給工藝技術 

　　面對領先的英特爾，臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing）和三星電子則發起了追擊。
　　ISSCC 2014的看點之一是上述“三巨頭”的SoC（system on a chip）微細化之爭。英特爾在本次會議上將詳細介紹集成處理器和穩壓器、采用新電源的Haswell省電力技術。到會議舉辦之時，14nm工藝處理器“Broadwell”（開發代碼）也有望投入量產。
　　在2013年11月下旬的業務說明會上，英特爾首席執行官布萊恩·科再奇（Brian Krzanich）宣布將全力開展代工業務。在移動產品SoC陷入苦戰的局面下，憑借行業最尖端的制造技術與對手一決勝負。
　　世界第一大代工企業臺積電將發表在2013年底啟動少量生產的16nm工藝技術。因為是該公司第一代采用立體晶體管（FinFET）的技術，代表制造技術成熟度的SRAM的完成情況估計會引發關注。該公司預計將在2014年上半年，為美國蘋果等客戶建立起20nm工藝技術體系。16nm工藝也將于2014年內投入量產。
　　三星將發表單元面積達到業內最小的14nm工藝SRAM。直到28nm工藝，三星一直壟斷著蘋果公司SoC的代工業務。在堡壘即將被20nm工藝攻陷的今天，14nm將成為該公司力挽狂瀾的寶劍。
　　宣布正式開展代工業務的英特爾將從何時開始為蘋果等大公司代工生產SoC？這一點估計將吸引業內人士的目光。
　　NAND揭開三維化大幕 
　　SoC微細化競爭趨于白熱化，而在NAND閃存領域，一篇預示微細化終結的論文即將發表。那就是三星關于三維NAND閃存的論文。這種閃存疊加24層內存單元，實現了現行NAND閃存的最大容量——128Gbit。此次發表16nm工藝NAND閃存的美國美光科技與韓國SK海力士也計劃在這一代向三維過渡。 
　　探索半導體新應用途徑的論文也有望成為關注的焦點。尤其引人注目的是醫療芯片（表2）。這種芯片的作用是嵌入人體內，監控健康狀態，按照需要刺激體內組織遏制發病。這種可作用于人體的半導體芯片也將在會議上亮相。