Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊——革新您的電源體驗(yàn)！隨著可再生能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域現(xiàn)代電力應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性變得越來(lái)越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有適合高壓、大功率應(yīng)用的優(yōu)良特性，在650V、1200V及更高電壓場(chǎng)景中開(kāi)始發(fā)揮顯著作用，成為光伏逆變器、電動(dòng)汽車充電的最佳解決方403 人瀏覽

基本半導(dǎo)體推出支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片前言相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開(kāi)啟電壓更低的特點(diǎn)，越來(lái)越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等領(lǐng)域。在橋式電路中，碳化硅MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度會(huì)使得串?dāng)_行為更容易發(fā)生，也226 人瀏覽

碳化硅肖特基二極管的額定電流是如何定義出來(lái)的？碳化硅肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件（單極性器件），其開(kāi)關(guān)損耗比硅快速恢復(fù)二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗，快速穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)器件的正反切換，提高產(chǎn)品的效率和降低產(chǎn)品噪音，同時(shí)易于改善EMI。今天的“SiC科普小課堂”中，基本237 人瀏覽