某研究機構(gòu)采用Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 對碲鎘汞晶體進行蝕刻, 并研究碲鎘汞晶體蝕刻后的電學特性.

 

Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 技術參數(shù):

基板尺寸	< Ф8 X 1wfr
樣品臺	直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn)
離子源	16cm 考夫曼離子源
均勻性	5% for 4”Ф
硅片刻蝕率	20 nm/min
溫度	<100

 

 Hakuto 離子刻蝕機 10IBE  離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160

 

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術參數(shù)：

離子源型號	離子源 KDC 160
Discharge	DC 熱離子
離子束流	>650 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	2-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
中和器	燈絲

 

Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 . 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度. 

試驗利用遷移率譜分析了離子束刻蝕后的碲鎘汞晶體, 發(fā)現(xiàn) 180μm 的 p 型碲鎘汞晶體在刻蝕后完全轉(zhuǎn)為 n 型, 且由兩個不同電學特性的電子層組成:低遷移率的表面電子層和高遷移率的體電子層.

通過分析不同溫度下的遷移率譜, 表明表面電子層的遷移率不隨溫度而變化, 而體電子層的遷移率隨溫度的變化與傳統(tǒng)的n型碲鎘汞材料一致.

不同厚度下的霍爾參數(shù)表明體電子層的電學性質(zhì)均勻.

另外,通過計算得到表面電子層的濃度要比體電子層高 2—3 個數(shù)量級.

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