通過實驗動手操作，加深對半導體物理理論知識的理解，掌握半導體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能，培養分析問題和解決問題的能力。
本科生微電子器件及材料實驗目錄
實驗一：金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性IV特性測試實驗
實驗二：四探針法測量半導體電阻率測試實驗
實驗三： MOS電容的CV特性測試實驗
實驗四：半導體霍爾效應測試實驗實驗
實驗五：激光二極管LD的LIV特性測試實驗
實驗六：太陽能電池的特性表征實驗
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優勢
滿足本科生基礎教學實驗中微電子器件和材料測試需求
測試設備簡單易用，專業權威，方便學生動手操作
核心設備測試精度高，滿足新材料和新器件的指標要求
測試軟件功能齊全，平臺化設計，有專人維護支持，與專業測試軟件使用相同架構
以基礎平臺為起點，可逐步升級，滿足日益增加的實驗室測試需求；詳詢18140663476
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺基本功能
實驗名稱 | 測試參數 |
金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性的IV特性測試實驗 | l 輸出特性曲線 l 轉移特性曲線 l 跨導gm l 擊穿電壓BVDS l |
四探針法測量半導體電阻率測試實驗
| l 四探針法電阻率ρ l 材料阻值R |
MOS電容的CV特性測試實驗（低頻 高頻） | l CV特性曲線 |
半導體霍爾效應測試實驗 | l 霍爾電壓VH l 霍爾電阻率ρ l 霍爾系數RH l 載流子濃度n l 霍爾遷移率u |
激光二極管LD的LIV特性測試
| l LIV特性曲線 l 閾值電流Ith l 閾值電流對應電壓值Vth l 拐點Kink l 線性電阻Rs |
太陽能電池的特性表征
| l 開路電壓Voc l 短路電流Isc l 功率 大值Pmax l 填充因子FF l 轉換效率η l 串聯電阻Rs l 旁路電阻Rsh |
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺核心
測試平臺的核心– 源測量單元（源表， SMU）
普賽斯國產源表四表合一 四象限模式
四線/開爾文測試功能
小信號測試
滿足先進器件和材料測試需求
交流測試使用LCR表
探針臺：4寸或6寸手動探針臺
有關基于國產數字源表的物理教學實驗平臺系統的更多信息請咨詢一八一四零六六三四七六
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