概述

電容-電壓(C-V)測量廣泛用于測量半導體參數(shù)，尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。MOS(金屬-氧化物-半導體)結(jié)構(gòu)的電容是外加電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C-V特性），C-V曲線測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)。

MOS電容CV特性測試實驗平臺

普賽斯半導體功率器件C-V測試系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、矩陣開關(guān)和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負責提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關(guān)加載在待測件上。

進行C-V 測量時，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時利用一個交流信號進行測量。一般使用的交流信號頻率在10KHz 到1MHz   之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流，從而計算出不同電壓下的電容值。詳詢一八一四零六六三四七六；

系統(tǒng)優(yōu)勢

頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點可調(diào)；

高精度、大動態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%；

內(nèi)置CV測試：內(nèi)置自動化CV測試軟件，包含C-V（電容- 電壓），C-T（電容- 時間），C-F（電容 - 頻率）等多項測試測試功能;

兼容IV測試：同時支持擊穿特性以及漏電流特性測試；

實時曲線繪制：軟件界面直觀展示項目測試數(shù)據(jù)及曲線，便于監(jiān)控；

擴展性強：系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計，可根據(jù)需求靈活搭配；

基本參數(shù)

典型配置

更多有關(guān)MOS電容CV特性測試實驗平臺詳情找普賽斯儀表專員為您解答一八一四零六六三四七六

武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。

未來，普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測試方案，以更優(yōu)的測試能力、更準確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶，共同助力我國第三代半導體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。