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繼電器靜態(tài)檢測設(shè)備

價(jià)格:1000元瀏覽:93次聯(lián)系:陶女士 / 18140663476 / 企業(yè):武漢普賽斯儀表有限公司留言店鋪收藏

普賽斯繼電器靜態(tài)檢測設(shè)備,集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測量、納安級(jí)電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容  、反向傳輸電容等。詳詢一八一四零六六三四七六;

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊,模塊化的設(shè)計(jì)測試方法   靈活,方便用戶添加或升級(jí)測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。

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測試系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),主要包括測試主機(jī)、測試線、測試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測試軟件,可根據(jù)測試項(xiàng)目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用,實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測試需求。

測試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試,可測試低至皮安級(jí)漏電流;集電極-發(fā)射極,最大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;最高支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測量功能。電容特性測試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測試,頻率最高支持1MHz。


系統(tǒng)特點(diǎn)

高電壓:支持高達(dá)3.5KV高電壓測試(Z大擴(kuò)展至10kV);

大電流:支持高達(dá)6KA大電流測試(多模塊并聯(lián));

高精度:支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、納安級(jí)漏電流測試;

豐富模板:內(nèi)置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù);

配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測試功能;

數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;

模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);

可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;

可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā);



系統(tǒng)參數(shù)


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測試項(xiàng)目

集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat

集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges

柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)

輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容

續(xù)流二極管壓降Vf

I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等


測試夾具

針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供

整套測試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測試。

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選擇普賽斯儀表的理由


武漢普賽斯是國內(nèi)最早生產(chǎn)源表的廠家,產(chǎn)品系列豐富:產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產(chǎn)已經(jīng)過了市場的考驗(yàn)、市面有近500臺(tái)源表在使用;


普賽斯儀表特色:高電流、高電壓測試,3500V電壓下可測量皮安級(jí)漏電流,1000A脈沖電流源15us的超快上升沿。

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們!詳詢一八一四零六六三四七六;


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