功率器件測試設備第三代半導體靜態(tài)測試機解決方案

 為應對各行各業(yè)對IGBT的測試需求，武漢普賽斯正向設計、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求。系統(tǒng)采用模塊化集成的設計結構，為用戶后續(xù)靈活添加或升級測量模塊提供了極大便捷和優(yōu)性價比，提高測試效率以及產(chǎn)線UPH。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)支持交互式手動操作或結合探針臺的自動操作，能夠在從測量設置和執(zhí)行到結果分析和數(shù)據(jù)管理的整個表征過程中實現(xiàn)高效和可重復的器件表征。也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。

 IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，Z大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA漏電流；集電極-發(fā)射極，Z大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；Z高支持3500V(可擴展至10kV)電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率Z高支持1MHz，可靈活選配。

系統(tǒng)優(yōu)勢/Feature

PART01

IGBT等大功率器件由于其功率特點極易產(chǎn)生大量熱量，施加應力時間長，溫度迅速上升，嚴重時會使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯高壓模塊建立的時間小于5ms，在測試過程中能夠減少待測物加電時間的發(fā)熱。

PART02

高壓下漏電流的測試能力，測試覆蓋率優(yōu)于國際品牌。市面上絕大多數(shù)器件的規(guī)格書顯示，小模塊在高溫測試時漏電流一般大于5mA，而車規(guī)級三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH  Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(guī)格書為例：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，Z大40mA。普賽斯靜態(tài)系統(tǒng)高壓模塊測試幾乎可以W美應對所有類型器件的漏電流測試需求。

PART03

此外，VCE(sat)測試是表征  IGBT  導通功耗的主要參數(shù)，對開關功耗也有一定的影響。需要使用高速窄脈沖電流源，脈沖上升沿速度要足夠快時才能減小器件發(fā)熱，同時設備需要有同步采樣電壓功能。

IGBT靜態(tài)測試系統(tǒng)大電流模塊：50us—500us  的可調電流脈寬，上升邊沿在 15us(典型值)，減少待測物在測試過程中的發(fā)熱，使測試結果更加準確。下圖為 1000A  波形：

PART04

快速靈活的客制化夾具解決方案：強大的測試夾具解決方案對于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC  MOS、GaN等單管，模組類產(chǎn)品的測試。

結束語

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)作為J端產(chǎn)品，以往在國際市場上只被少數(shù)企業(yè)掌握。全球半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及先進半導體制造設備保有國出口管制的升級，對國產(chǎn)設備廠家來說既是挑戰(zhàn)也是機遇。未來，武漢普賽斯將充分發(fā)揮自身的技術和創(chuàng)新優(yōu)勢，持續(xù)推動J端產(chǎn)品落地應用，真正做到以技術創(chuàng)造更多價值。功率器件測試設備第三代半導體靜態(tài)測試機就找武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；