概述

電容-電壓(C-V)測量廣泛用于測量半導體參數，尤其是MOS CAP和MOSFET結構。MOS(金屬-氧化物-半導體)結構的電容是外加電壓的函數，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C-V特性），C-V曲線測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數。

功率器件CV測試系統(tǒng)CV檢測儀方案

普賽斯半導體功率器件C-V測試系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、矩陣開關和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負責提供可調直流電壓偏置，通過矩陣開關加載在待測件上。詳詢一八一四零六六三四七六；

進行C-V 測量時，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時利用一個交流信號進行測量。一般使用的交流信號頻率在10KHz 到1MHz   之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流，從而計算出不同電壓下的電容值。

系統(tǒng)優(yōu)勢

頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點可調；

高精度、大動態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%；

內置CV測試：內置自動化CV測試軟件，包含C-V（電容- 電壓），C-T（電容- 時間），C-F（電容 - 頻率）等多項測試測試功能;

兼容IV測試：同時支持擊穿特性以及漏電流特性測試；

實時曲線繪制：軟件界面直觀展示項目測試數據及曲線，便于監(jiān)控；

擴展性強：系統(tǒng)采用模塊化設計，可根據需求靈活搭配；

基本參數

典型配置

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