高頻介電常數介質損耗測量儀 介電常數,用于衡量絕緣體儲存電能的性能.它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質時的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質或真空時的電容量之比。介電常數代表了電介質的極化程度,也就是對電荷的束縛能力,介電常數越大,對電荷的束縛能力越強。電容器兩極板之間填充的介質對電容的容量有影響,而同一種介質的影響是相同的,介質不同,介電常數不同
高頻介電常數介質損耗測量儀 振蕩頻率:
a.振蕩頻率范圍:10kHz~50MHz;
b.頻率分段(虛擬)
10~99.9999kHz
100~999.999kHz
1~9.99999MHz
10~60MHz
☆ 安全措施
(1)高壓保護:試品短路、擊穿或高壓電流波動,能迅速切斷高壓輸出。
(2)CVT保護:設定自激電壓的過流點,一旦超出設置的電流值,儀器自動退出測量,不會損壞設備。
(3)接地檢測:儀器有接地檢測功能,未接地時不能升壓測量。
(4)防誤操作:具備防誤操作設計,能判別常見接線錯誤,安全報警。
(5)防“容升”:測量大容量試品時會出現電壓抬高的“容升”效應,儀器能自動跟蹤輸出電壓,保持試驗電壓恒定。
電介質在外電場作用下,其內部會有發熱現象,這說明有部分電能已轉化為熱能耗散掉,電介質在電場作用下,在單位時間內因發熱而消耗的能量稱為電介質的損耗功率,或簡稱介質損耗(diclectric loss)。介質損耗是應用于交流電場中電介質的重要品質指標之一。介質損耗不但消耗了電能,而且使元件發熱影響其正常工作。如果介電損耗較大,甚至會引起介質的過熱而絕緣破壞,所以從這種意義上講,介質損耗越小越好。
低頻電橋
一般為高壓電橋,這不僅是由于靈敏度的緣故,也因為在低頻下正是高電壓技術特別對電介質損耗關注的問題。電容臂和測量臂兩者的阻抗大小在數量級上相差很多,結果,絕大部分電壓都施加在電容Cx和C}上,使電壓分配不平衡 上面給出的電橋平衡條件只是當低壓元件對高壓元件屏蔽時才成立。同時,屏蔽必須接地,以保證平衡穩定。如圖A. 2所示。屏蔽與使用被保護的電容C、和C、是一致的,這個保護對于Ch來說是必不可少的。
由于選擇不同的接地方法,實際上形成了兩類電橋。
帶瓦格納(Wagner)接地電路的西林電橋
圖A.2示出了使電橋測量臂接線端與屏蔽電位相等的方法。這種方法是通過使用外接輔助橋臂ZA、ZB(瓦格納接地電路),并使這兩個輔助橋臂的中間點P接到屏蔽并接地。調節輔助橋臂(實際為
ZB)以使在ZA和ZB上的電壓分別與電橋的電容臂和測量臂兩端的電壓相等.顯然,這個解決方法包括兩個橋即主橋AMNB和輔橋AMPB(或ANPB)同時平衡。通過檢測器從一個橋轉換到另一個橋逐
次地逼近平衡而最終達到二者平衡.用這種方法精度可以提高一個數量級,這時,實際上該精度只決定于電橋元件的精密度平衡用這種方法精度可以提高一個數量級,這時,實際上該精度只決定
于電橋元件的精密度。
必須指出,只有當電源的兩端可以對地絕緣時才使用上述特殊的解決方法。如果不可能對地絕緣,則必須使用更復雜的裝置(雙屏蔽電橋)。
電容測量
| A | C |
直接測量范圍 | 1~460p | 1~205p |
主電容調節范圍 | 40~500pF | 18~220pF |
準確度 | 150pF以下?1.5pF; 150pF以上?1% | 150pF以下?1.5pF 150pF以上?1% |
漏導損耗
實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質,在外電場的作用下,總有一些帶電粒子會發生移動而引起微弱的電流,這種微小電流稱為漏導電流,漏導電流流經介質時使介質發熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質損耗稱為“漏導損耗”。由于實阿的電介質總存在一些缺陷,或多或少存在一些帶電粒子或空位,因此介質不論在直流電場或交變電場作用下都會發生漏導損耗。
使用方法
高頻Q表是多用途的阻抗測量儀器,為了提高測量精度,除了使Q表測試回路本身殘余參量盡可能地小,使耦合回路的頻響盡可能地好之外,還要掌握正確的測試方法和殘余參數修正方法。
1.測試注意事項
a.本儀器應水平安放;
b.如果你需要較精確地測量,請接通電源后,預熱30分鐘;
c.調節主調電容或主調電容數碼開關時,當接近諧振點時請緩調;
d.被測件和測試電路接線柱間的接線應盡量短,足夠粗,并應接觸良好、可靠,以減少因接線的電阻和分布參數所帶來的測量誤差;
e.被測件不要直接擱在面板頂部,離頂部一公分以上,必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊;
f.手不得靠近試件,以免人體感應影響造成測量誤差,有屏蔽的試件,屏蔽罩應連接在低電位端的接線柱。
2.高頻線圈的Q值測量(基本測量法)
離子晶體的損耗
離子晶體的介質損耗與其結構的緊密程度有關。
緊密結構的晶體離子都排列很有規則,鍵強度比較大,如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等,在外電場作用下很難發生離子松弛極化,只有電子式和離子式的位移極化,所以無極化損耗,僅有的一點損耗是由漏導引起的(包括本質電導和少量雜質引起的雜質電導)。這類晶體的介質損耗功率與頻率無關,損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此,以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等
介質損耗(dielectric loss)指的是絕緣材料在電場作用下,由于介質電導和介質極化的滯后效應,在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失,簡稱介損。
介質損耗因數(dielectric loss factor)指的是衡量介質損耗程度的參數。
標稱誤差
頻率范圍:20kHz~10MHz; 固有誤差:≤5%?滿度值的2%;工作誤差:≤7%?滿度值的2%;
頻率范圍:10MHz~60MHz; 固有誤差:≤6%?滿度值的2%;工作誤差:≤8%?滿度值的2%。
宏觀結構不均勾性的介質損耗
工程介質材料大多數是不均勻介質。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和氣相,各相在介質中是統計分布口。由于各相的介電性不同,有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質的電場分布不均勻,造成局部有較高的電場強度而引起了較高的損耗。但作為電介質整體來看,整個電介質的介質損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。
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