價(jià)格:面議瀏覽:86次聯(lián)系:張婷婷 / 15021001340 / 0755-25473928企業(yè):伯東貿(mào)易(深圳)有限公司留言店鋪收藏
上海伯東 Hakuto 日本原裝設(shè)計(jì)制造離子束刻蝕機(jī) IBE (離子蝕刻機(jī)) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 納米級(jí)別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤?5%. 幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 廣泛應(yīng)用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 …, 滿足研發(fā)和量產(chǎn)需要. IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料.
離子刻蝕機(jī) 4IBE 離子刻蝕機(jī) 20IBE 全自動(dòng)蝕刻機(jī) MEL 3100
離子束刻蝕機(jī) IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級(jí)別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤?5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 配置德國(guó) Pfeiffer 分子泵
離子束刻蝕機(jī) IBE 型號(hào)參數(shù)
上海伯東提供用于研究分析的小尺寸離子刻蝕機(jī), 用于生產(chǎn)制造的大尺寸離子蝕刻機(jī), 以及全自動(dòng)刻蝕機(jī). 滿足研發(fā)和量產(chǎn)需求!
型號(hào) | 4IBE | 7.5IBE | 10IBE | 16IBE | 20IBE-C | 20IBE-J | MEL 3100 |
樣品數(shù)量尺寸 | φ4”X 1 | φ4” X1 | φ8” X1 | φ6”X1 | φ3” X8 | φ4” X12 | φ3” -φ6”X1 |
離子束入射角度 | 0~? 90 | 0~? 90 | 0~? 90 | 0~? 90 | 0~? 90 | 0~? 90 | - |
離子源 | 考夫曼型 | 考夫曼型 | 考夫曼型 | 考夫曼型 | 考夫曼型 | 考夫曼型 | - |
極限真空度 Pa | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦8x10-5 |
均勻性 | ≤?5% | ≤?5% | ≤?5% | ≤?5% | ≤?5% | ≤?5% | ≤?5% |
上海伯東日本原裝進(jìn)口離子束刻蝕機(jī)推薦應(yīng)用:
類別 | 器件 | 刻蝕材料 |
磁性器件 | 自旋電子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD | Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等… |
傳感器 MEMS | 鉑熱電阻, 流量計(jì), 紅外傳感器, 壓電打印機(jī)頭等 | PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等… |
RF 射頻器件 | 射頻濾波器, GaAs / GaN HEMT 等 | Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等 |
光電子 | 激光二極管, 光電探測(cè)器, 薄膜分裝等 | Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等 |
其他 | 探針卡, 薄膜片式電阻器, 氧化物, 超導(dǎo)等 | NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等 |
自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套離子刻蝕機(jī). 刻蝕機(jī)配置德國(guó) Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過(guò) 50年的離子束刻蝕市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)! 上海伯東也是美國(guó) KRi 離子源中國(guó)總代理, KRi 離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.
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