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上海伯東 Hakuto 日本原裝設(shè)計(jì)制造離子束刻蝕機(jī) IBE

價(jià)格:面議瀏覽:86次聯(lián)系:張婷婷 / 15021001340 / 0755-25473928企業(yè):伯東貿(mào)易(深圳)有限公司留言店鋪收藏

上海伯東 Hakuto 日本原裝設(shè)計(jì)制造離子束刻蝕機(jī) IBE (離子蝕刻機(jī)) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 納米級(jí)別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤?5%. 幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 廣泛應(yīng)用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 …, 滿足研發(fā)和量產(chǎn)需要. IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料.
離子蝕刻機(jī),離子刻蝕機(jī),IBE
            離子刻蝕機(jī) 4IBE                                   離子刻蝕機(jī) 20IBE                        全自動(dòng)蝕刻機(jī) MEL 3100
離子束刻蝕機(jī) IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級(jí)別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤?5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 配置德國(guó) Pfeiffer 分子泵
離子束刻蝕機(jī)
離子束刻蝕機(jī)
離子束刻蝕機(jī)
離子束刻蝕機(jī) IBE 型號(hào)參數(shù)
上海伯東提供用于研究分析的小尺寸離子刻蝕機(jī), 用于生產(chǎn)制造的大尺寸離子蝕刻機(jī), 以及全自動(dòng)刻蝕機(jī). 滿足研發(fā)和量產(chǎn)需求!

型號(hào)

4IBE

7.5IBE

10IBE

16IBE

20IBE-C

20IBE-J

MEL 3100

樣品數(shù)量尺寸

φ4”X 1

φ4” X1

φ8” X1

φ6”X1

φ3” X8
φ4” X6

φ4” X12
φ5” X10
φ6” X8

φ3” -φ6”X1

離子束入射角度

0~? 90

0~? 90

0~? 90

0~? 90

0~? 90

0~? 90

-

離子源

考夫曼型

考夫曼型

考夫曼型

考夫曼型

考夫曼型

考夫曼型

-

極限真空度 Pa

≦1x10-4

≦1x10-4

≦1x10-4

≦1x10-4

≦1x10-4

≦1x10-4

≦8x10-5

均勻性

≤?5%

≤?5%

≤?5%

≤?5%

≤?5%

≤?5%

≤?5%


刻蝕速率
上海伯東日本原裝進(jìn)口離子束刻蝕機(jī)推薦應(yīng)用:

類別

器件

刻蝕材料

磁性器件

自旋電子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD

Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等…

傳感器 MEMS

鉑熱電阻, 流量計(jì), 紅外傳感器, 壓電打印機(jī)頭等

PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等…

RF 射頻器件

射頻濾波器, GaAs / GaN HEMT 等

Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等

光電子

激光二極管, 光電探測(cè)器, 薄膜分裝等

Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等

其他

探針卡, 薄膜片式電阻器, 氧化物, 超導(dǎo)等

NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等

 


自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套離子刻蝕機(jī). 刻蝕機(jī)配置德國(guó) Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過(guò) 50年的離子束刻蝕市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)! 上海伯東也是美國(guó) KRi 離子源中國(guó)總代理, KRi 離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅女士                            臺(tái)灣伯東: 王女士
T: 86-21-5046-3511 ext 108           T: 886-03-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490                       F: 886-03-567-0049
M: 86 152-0195-1076                      M: 886-939-653-958

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