應用于研究監測土壤的力學結構變化, 一般用于山體, 巖石和凍土等環境研究的物理量傳感器 MEMS, 這種傳感器的制造一般需要經過鍍膜, 沉積, 刻蝕等工藝多次循環, 金 Au 和 鉑 Pt 是傳感器加工中常用的涂層, 在完成鍍膜后, 蝕刻是制造微型結構的重要工藝之一, 用傳統的刻蝕工藝 ( 濕法刻蝕, ICP 刻蝕和 RIE 刻蝕) 常常無法有效的刻蝕出所需的圖形.
上海伯東日本原裝進口離子束刻蝕機 IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很難刻蝕的硬質或惰性材料.
上海伯東離子束刻蝕機物理量傳感器 MEMS 刻蝕方案.
刻蝕材料: 4寸 物理量傳感器 MEMS (表面鍍 金 Au 和 鉑 Pt)
刻蝕均勻性要求: ≤?5%
刻蝕難點: Au 和 Pt 反應離子刻蝕 RIE 無法滿足要求
刻蝕設備: 10 IBE
因客戶信息保密, 10 IBE 部分刻蝕數據結果如下:
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離子束刻蝕機 10 IBE 主要技術參數:
基板尺寸 | 4寸 |
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樣品臺 | 干式橡膠卡盤 直接冷卻（水冷） 0-?90 度旋轉 | |
離子源 | 考夫曼源 Well-2100（柵網φ100mm） | |
均勻性 | ≤5%（4寸 Si晶圓） | |
刻蝕速率 | 20nm/min （Si 晶圓） | |
真空度 | 1E-3Pa（45min內） | |
真空系統 | 干泵 德國 Pfeiffer 分子泵 |
上海伯東日本原裝進口離子束刻蝕機推薦應用:
類別 | 器件 | 刻蝕材料 |
磁性器件 | 自旋電子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD | Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等… |
傳感器 MEMS | 鉑熱電阻, 流量計, 紅外傳感器, 壓電打印機頭等 | PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等… |
RF 射頻器件 | 射頻濾波器, GaAs / GaN HEMT 等 | Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等 |
光電子 | 激光二極管, 光電探測器, 薄膜分裝等 | Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等 |
其他 | 探針卡, 薄膜片式電阻器, 氧化物, 超導等 | NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等 |
上海伯東日本原裝設計制造離子刻蝕機 IBE, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子蝕刻機. 蝕刻機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRi 考夫曼離子源!
伯東公司超過 50年的刻蝕 IBE 市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!
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