紅外光學(xué)薄膜器件作為紅外系統(tǒng)重要組成部分, 已廣泛應(yīng)用于航空航天、國防、環(huán)保、分析儀器等各個領(lǐng)域. 在紅外光學(xué)應(yīng)用中, 由于鍺在2～14μm紅外波段內(nèi)有高而均勻的透過率, 是一種不可替代的優(yōu)良紅外光學(xué)材料. 鍺單晶切片加工成的鍺透鏡及鍺窗和利用鍺單晶透過紅外波長特性制成的各種紅外光學(xué)部件廣泛用于各類紅外光學(xué)系統(tǒng).

    鍺作為常用的紅外光學(xué)元件材料, 具有折射率高、表面反射損失大以及表面易劃傷等特點, 因此必須鍍制高性能紅外增透膜, 膜層強(qiáng)度差一直是一個難題, 其原因是膜層材料結(jié)構(gòu)疏松、易吸潮. 因此, 加工過程除了選擇好的膜料外, 還應(yīng)采用離子束輔助沉積技術(shù)來增強(qiáng)薄膜的強(qiáng)度. 紅外材料由于基片的本體吸收、散射和反射等因素導(dǎo)致紅外鏡片在各波段透過率受限, 應(yīng)用中需要減少反射率. 另外紅外鏡片的使用環(huán)境不同, 從而需要在基片表面進(jìn)行光學(xué)鍍膜, 如高溫高濕、鹽霧和風(fēng)沙等惡劣環(huán)境等, 導(dǎo)致鏡片需要通過鍍膜技術(shù)來實現(xiàn)各種應(yīng)用需求.

KRI 離子源在鍺基紅外鍍膜中的應(yīng)用

    紅外光學(xué)元件材料中的鍺基材料, 主要考慮8-14μm這一波段, 不鍍膜情況下鍺基材料的透過率只有40-50%, 而鍍了增透膜之后的透過率可以大大提高, 達(dá)到90%以上, 這樣可以減少鍺基材料表面的反射率, 提高產(chǎn)品的識別靈敏度和測溫距離. 而且多數(shù)客戶還會要求鍍DLC類金剛石碳膜, 用來加強(qiáng)鍺材料的硬度, 起到一定的防爆效果.

    經(jīng)過推薦客戶采用光學(xué)鍍膜機(jī)加裝美國原裝進(jìn)口KRi 霍爾離子源 eH 400, 在膜層在穩(wěn)定性、附著力、致密度和牢固度等性能大幅度提高, 解決了環(huán)測膜層脫落問題, 透過率大大提高, 大幅度提高膜層質(zhì)量, 完全達(dá)到客戶工藝要求.

     美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù). 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應(yīng)器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設(shè)備中, 例如鍍膜機(jī), load lock, 濺射系統(tǒng), 卷繞鍍膜機(jī)等.
 

      1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 霍爾離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
T: 86-21-5046-3511 ext 108              T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1322                            F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076( 微信同號 )      M: 886-975-571-910
www.hakuto-china.cn                        www.hakuto-vacuum.com.tw
上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！