LED 芯片退火合金爐屬于真空爐的一種, 需要在真空環(huán)境下實(shí)現(xiàn) LED 芯片的退火, 合金, 濕氧氧化, 歐姆電極燒結(jié)等工藝. 腔體真空度一般在 10-3 至 10-6 hPa 之間, 上海伯東德國 Pfeiffer 分子泵憑借大抽速,高穩(wěn)定性廣泛應(yīng)用于退火合金爐設(shè)備.
分子泵在真空爐中的作用
在真空爐中, 工件受到加熱, 真空泵負(fù)責(zé)產(chǎn)生低含氧量的氣體環(huán)境. 這可防止工件氧化. 取決于真空爐類型, 真空的效用可能各不相同. 在真空燒結(jié)中, 真空可改善工件的表面質(zhì)量和實(shí)現(xiàn)脫粘工藝; 在真空釬焊中, 真空可產(chǎn)生脫氣效果, 從而提高焊縫的硬度和質(zhì)量; 在真空硬化中, 真空可防止變形, 由此同樣可改善表面質(zhì)量. 此工藝的另一項(xiàng)優(yōu)點(diǎn), 是可以在硬化過程之后直接氮化. 對(duì)于每種工藝, 都有必要在定義的時(shí)間內(nèi)達(dá)到工藝壓力. 上海伯東德國 Pfeiffer 分子泵短抽空時(shí)間可以由此提高企業(yè)產(chǎn)能, 同時(shí)抽空過程還有去除不希望物質(zhì)（例如氫）這一重要作用.
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上海伯東 Pfeiffer 分子泵抽速 10-1900 l/s, 高氣流量, 高抽速, 占用空間小, 方便系統(tǒng)集成.

上海伯東德國 Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 系列獲得 Semi S2, UL, CSA 和 Nema 12 認(rèn)證. 為高真空應(yīng)用提供解決方案, 適用于質(zhì)譜分析, 電子顯微術(shù), 測(cè)量技術(shù), 粒子加速和等離子體物理方面的應(yīng)用. 除了用于分析, 真空工藝和半導(dǎo)體技術(shù)外, 還可用于真空鍍膜, 研發(fā)以及工業(yè)領(lǐng)域. 

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