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美國 KRi 離子源常見工藝應用

價格:面議瀏覽:149次聯系:張婷婷 / 15021001340 / 0755-25473928企業:伯東貿易(深圳)有限公司留言店鋪收藏

KRi 離子源常見工藝應用
通過使用上海伯東美國 KRi 離子源可以對材料進行加工, 真空環境下, 實現沉積薄膜, 干式蝕刻和材料表面改性等工藝.
KRI離子源

KRi 離子源常見工藝應用

工藝應用

簡稱

In-situ substrate preclean 預清潔

PC

Ion-beam modification of material and surface properties
材料和表面改性

IBSM

- Surface polishing or smoothing 表面拋光

 

- Surface nanostructures and texturing
表面納米結構和紋理

 

- Ion figuring and enhancement 離子計算和增強

 

- Ion trimming and tuning 離子修整和調諧

 

- Surface-activated bonding 表面激活鍵合

SAB

Ion-beam-assisted deposition 輔助鍍膜

IBAD

Ion-beam etching 離子蝕刻

IBE

- Reactive ion-beam etching 活性離子束蝕刻

RIBE

- Chemically assisted ion-beam etching 化學輔助離子束蝕刻

CAIBE

Ion-beam sputter deposition 離子濺射

IBSD

- Reactive ion-beam sputter deposition 反應離子濺射

RIBSD

- Biased target ion-beam sputter deposition
偏壓靶離子束濺射

BTIBSD

Direct deposition 直接沉積

DD

- Hard and functional coatings
硬質和功能性涂料

 


KRI離子源 

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領域, 上海伯東是美國 KRi考夫曼公司離子源中國總代理.
 

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: 86-21-5046-1322                   T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490                        F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076                     M: 886-939-653-958
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