KRI 離子源應用于有機材料熱蒸鍍設備 OLED, OPV
有機金屬熱沉積系統是一種熱蒸發的方式, 用于將有機或金屬材料沉積到基板表面上.該過程需要通過精確控制溫度和沉積速率來實現薄膜的高精度和均勻性. 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源可用于基板清潔和加速材料的蒸發速度, 并且 KRI 離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密. 有機材料熱沉積系統使用高精準熱蒸發源作為加熱源, 并使用金屬, 石英, 陶瓷或 PBN 坩堝來容納有機材料以及 PID 控制器來控制其沉積速率. 該系統通常用于有機電子研究領域, 例如 OPV, OLED, OPD...

------ 有機材料熱蒸鍍設備 OLED, OPV -----
上海伯東美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP  系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

射頻離子源 RFICP 系列技術參數:

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

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