在硅襯底上生長 Ge 量子點唄認為是可能實現 Si 基發光的重要途徑, 對 Si 基光電子、微電子或單電子器件有重要影響.

某研究所采用伯東 KRI 離子源用于離子束濺射鍍制 Ge 納米薄膜的研究.

該研究采用的是 FJL560 III 型超高真空多靶磁控與離子束聯合濺射設備的離子束濺射室內制備樣品, 生長室的本底真空度低于 4x10-4Pa.

其系統工作示意圖如下：

該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統主要由濺射室、離子源、濺射靶、基片臺等部分組成.

用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380, 其參數如下:

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數：

推薦理由：

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度,  提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積,  減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

生長室的本底真空度低于 4x10-4Pa,  經推薦采用伯東泵組  Hicube 80 Pro,  其技術參數如下：

分子泵組 Hicube 80 Pro 技術參數:

運行結果：

得到了尺寸較均勻的 Ge 島,  島的數量也很多.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

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