某實(shí)驗(yàn)室運(yùn)用直流磁控濺射法, 采用 ZAO 陶瓷靶材, 結(jié)合正交試驗(yàn)表通過(guò)改變制備工藝中的基片溫度、濺射功率、氧流量百分比等參數(shù), 在普通玻璃襯底上制備得到ZnO: Al（ZAO）透明導(dǎo)電薄膜.

 

試驗(yàn)設(shè)備:

伯東 KRI 聚焦射頻離子源 RFICP 220 進(jìn)行濺射, 選用 ZAO 陶瓷靶, 基片為普通玻璃, 普發(fā) Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.

 

工藝要求:

靶與基片距離為5cm, 濺射時(shí)間為30 min

 

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):

離子源型號(hào)	RFICP 220
Discharge	RFICP 射頻
離子束流	>800 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	20 cm Φ
離子束	聚焦
流量	10-40 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	30 cm
直徑	41 cm
中和器	LFN 2000

 

推薦理由:

聚焦型射頻離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

 

在整個(gè)實(shí)驗(yàn)工藝中工作氣壓保持在 3x 10-1Pa, 因此采用伯東 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.

伯東 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3 技術(shù)參數(shù)如下:

 

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

 

 

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