為了滿足激光慣性約束核聚變對光學晶體磷酸二氫鉀（KDP）晶體所需的面形精度、表面質量的高要求, 對降低 KDP 晶體表面粗糙度和消除 KDP 晶體表面周期性刀痕, 某廠商采用離子源產生的離子束進行KDP晶體的沉積修正拋光.

 

該廠商采用雙離子源濺射沉積系統, 其中一個離子源采用伯東 KRI 聚焦射頻離子源 RFICP 380 對靶材進行濺射, 另一個離子源采用伯東 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 對樣品進行離子刻蝕.

 

其工作示意圖如下：

 

用于濺射的 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數:

射頻離子源型號	RFICP 380
Discharge 陽極	射頻 RFICP
離子束流	>1500 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	30 cm Φ
離子束	聚焦
流量	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	39 cm
直徑	59 cm
中和器	LFN 2000

 

推薦理由：

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

 

用于刻蝕的 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 技術參數：

離子源型號	離子源 KDC 100
Discharge	DC 熱離子
離子束流	>400 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	12 cm Φ
離子束	平行
流量	2-20 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	23.5 cm
直徑	19.4 cm
中和器	燈絲

* 可選: 可調角度的支架

 

推薦理由：

使用 KRI 平行型射頻離子源 RFICP 100 可以準確、靈活地對樣品選定的區域進行刻蝕, 可以使大口徑光學元件 KDP 晶體表面更均勻

 

運行結果:

1. 濺射沉積的KDP晶體表面的均勻性在5%以內, 刻蝕均勻性在5%以內

2. 離子束刻蝕可以消除KDP晶體表面周期性刀痕

3. KDP晶體表面粗糙度降低到1.5nm,達到了預期目的

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

 

 

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