在 LED（發(fā)光二極管 ）封裝工藝工程中, 器件表面的氧化物及顆粒污染物會(huì)降低產(chǎn)品的可靠性, 影響產(chǎn)品的質(zhì)量. 某 LED制造商為了保證有效清洗 LED 器件表面的氧化物及顆粒污染物, 采用伯東伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 在LED 封裝前進(jìn)行離子清洗.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

離子源型號(hào)	RFICP220
Discharge	RFICP 射頻
離子束流	>800 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	20 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	10-40 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	30 cm
直徑	41 cm
中和器	LFN 2000

 

客戶清洗的工作流程:

在真空狀態(tài)下, 利用射頻源將氬氣電離成高能量的離子去撞擊LED上的有機(jī)污染物及微顆粒污染物, 從而使得污染物被轟擊除掉.

 

為了避免二次污染, 該清洗工藝, 真空度要求10-7 hPa, 客戶采用的是伯東Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 1800 UC, 該型號(hào)可以倒裝和抗腐蝕,

 

伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 1800 技術(shù)參數(shù)：

分子泵型號(hào)	接口 DN		抽速 l/s			壓縮比	最高啟動(dòng)壓強(qiáng)mbar	極限壓力	全轉(zhuǎn)速氣體流量hPa l/s	啟動(dòng) 時(shí)間	重量
	進(jìn)氣	排氣	氮?dú)?br />N2	氦氣He	氫氣 H2	氮?dú)?br />N2	氮?dú)釴2	hPa	氮?dú)釴2	min	kg
Hipace 1800 UC	200	40	1,450	1,650	1,700	> 1X108	1.8	< 1X10–7	20	4	33 – 34

 

運(yùn)行結(jié)果:

1. 從下圖離子射頻清洗氧化膜前后對(duì)比可以看出, KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 有效的清洗除去污染物

從使用和未使用離子清洗的拉力強(qiáng)度對(duì)比, 使用離子清洗后鍵合引線拉力強(qiáng)度有明顯增加

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

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