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KRI 考夫曼射頻離子源RFICP380輔助磁控濺射制 TiSiN-Ag薄膜

價(jià)格:面議瀏覽:188次聯(lián)系:張婷婷 / 15021001340 / 0755-25473928企業(yè):伯東貿(mào)易(深圳)有限公司留言店鋪收藏

為了研究 Ag 元素對(duì) TiSiN 薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響, 江蘇某大學(xué)課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射法制備了不同 Ag 含量的 TiSiN-Ag 薄膜, 并采用EDS, XRD, XPS, TEM, CSM 納米壓痕儀, UMT-2 摩擦磨損儀和 BRUKER 三維形貌儀對(duì)薄膜的成分/ 微結(jié)構(gòu)/ 力學(xué)性能和摩擦磨損性能進(jìn)行了研究

 

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

射頻離子源型號(hào)

RFICP380

Discharge 陽極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

Ti N 薄膜是金屬氮化物的代表性材料,具有硬度高/ 耐摩擦/ 化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn), 作為工模具耐磨涂層已得到了廣泛的應(yīng)用, 但其硬度和抗氧化性能有待進(jìn)一步加強(qiáng). 向 Ti N 中添加 Si 元素, 形成的 Ti-Si N 薄膜硬度是 Ti N 薄膜的 2 倍, 當(dāng) Si 含量為 21.28% 時(shí) Ti Si N 薄膜的氧化溫度為800℃, 高于 Ti N 薄膜的 300℃, 但其摩擦系數(shù)在 0.65 左右, 摩擦性能需要進(jìn)一步提高.  Ag和Au等貴金屬在室溫和中溫范圍內(nèi)具有良好的潤滑性, Ag 摻入耐磨涂層中可以改善其摩擦磨損性能.  

 

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.

 

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論,  請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅先生                               臺(tái)灣伯東: 王女士
T: 86-21-5046-1322                   T: 886-3-567-9508 ext 161
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