某光學元件制造商為了優(yōu)化碳化硅微光學元件, 降低碳化硅微光學元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 對其進行優(yōu)化.

Hakuto 離子蝕刻機 10IBE技術參數(shù):

該制造商采用的 Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 的核心構件離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術參數(shù)：

* 可選: 可調(diào)角度的支架

Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 配的是 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 ? 10-7 hpa, 良好的保持刻蝕室的真空度.

其產(chǎn)品優(yōu)勢:

1.結構緊湊但功能強大的渦輪泵，用于 N2 時的最高抽速可達 685 l/s

2.最佳真空性能，最低功耗

3.集成的帶 Profibus 的驅動電子裝置 TC 400

4.可在任何方向安裝

5.帶有集成型水冷系統(tǒng)以保證最大氣體流量

6.通過 M12 插接頭的 Profibus 連接

7.廣泛的配件擴展使用范圍

運行結果:

1. 經(jīng)過 Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 對碳化硅微納結構進行刻蝕, 以調(diào)控結構的線寬和深度, 使結構表面粗糙度由約106nm降低到11.8nm.

2. 碳化硅菲涅爾波帶片展現(xiàn)出良好的聚焦和成像效果.

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