某研究機構采用Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 對碲鎘汞晶體進行蝕刻, 并研究碲鎘汞晶體蝕刻后的電學特性.

Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 技術參數:

 Hakuto 離子刻蝕機 10IBE  離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術參數：

Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 ? 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

試驗利用遷移率譜分析了離子束刻蝕后的碲鎘汞晶體, 發現 180μm 的 p 型碲鎘汞晶體在刻蝕后完全轉為 n 型, 且由兩個不同電學特性的電子層組成:低遷移率的表面電子層和高遷移率的體電子層.

通過分析不同溫度下的遷移率譜, 表明表面電子層的遷移率不隨溫度而變化, 而體電子層的遷移率隨溫度的變化與傳統的n型碲鎘汞材料一致.

不同厚度下的霍爾參數表明體電子層的電學性質均勻.

另外,通過計算得到表面電子層的濃度要比體電子層高 2—3 個數量級.

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