某光學(xué)器件制造商采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 應(yīng)用于光學(xué)器件精密加工, 通過蝕刻工藝提高光學(xué)器件的聚酰亞胺薄膜的表面光潔度.

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 技術(shù)參數(shù)

Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):

采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J  可以使 PV、RMS分別為1.347μm和340nm的粗糙表面, 通過蝕刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分別為61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 該刻蝕工藝能有效提高光學(xué)器件聚酰亞胺薄膜的表面光潔度.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :

上海伯東 : 羅先生                               臺(tái)灣伯東 : 王小姐
T: 86-21-5046-1322                   T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490                        F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076                     M: 886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！