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某廠商研發部門采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 用于蝕刻 KDP 晶體進行拋光加工, 用以消除單點金剛石車削（SPDT）后 KDP 晶體表面留下的周期性小尺度波紋.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 技術參數如下:
Ф4 inch X 6片 | 基板尺寸 | < Ф3 inch X 8片 |
樣品臺 | 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉 | |
離子源 | 20cm 考夫曼離子源 | |
均勻性 | ?5% for 8”Ф | |
硅片蝕刻率 | 20 nm/min | |
溫度 | <100 |
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 產品圖如上圖, 其主要構件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺. 如下圖：
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Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:
離子源型號 | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 30 cm |
直徑 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 的樣品臺可以 0-90 度旋轉, 實現樣品均勻地接受離子的轟擊, 進而實現提高樣品的加工質量.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 配套的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700.
通過采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 刻蝕后, 單點金剛石車削后的表面由初始的6.54nm RMS, 經過 1.76nm RMS 的平坦化層, 最終刻蝕轉移到 KDP 晶體表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.
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