Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 運用于鐵電薄膜研究
某研究所在 PZT 鐵電薄膜的電學性能研究中運用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 10IBE.
Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 技術參數:
基板尺寸 | < Ф8 X 1wfr |
樣品臺 | 直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉 |
離子源 | 16cm 考夫曼離子源 |
均勻性 | ?5% for 4”Ф |
硅片刻蝕率 | 20 nm/min |
溫度 | <100 |
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160
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伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC160 技術參數：
離子源型號 | 離子源 KDC 160 |
Discharge | DC 熱離子 |
離子束流 | >650 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 16 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
中和器 | 燈絲 |
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 ? 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
研究表面采用伯東 Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 刻蝕工藝后, PZT薄膜的鐵電性能幾乎能恢復到蝕刻前, 如矯頑場值、漏電流、疲勞性能等, 鐵電性能會得到更好的改善.有利于提高貼點存儲密度, 降低生產成本.
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