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重慶某研究所在在氮化硅刻蝕工藝研究中采用 hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE.
Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 技術規格:
真空腔 | 1 set, 主體不銹鋼,水冷 |
基片尺寸 | 1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻, |
離子源 | ? 8cm 考夫曼離子源 KDC75 |
離子束入射角 | 0 Degree～? 90 Degree |
極限真空 | ≦1x10-4 Pa |
刻蝕性能 | 一致性: ≤?5% across 4” |
該 Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 的核心構件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75
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伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術參數：
離子源型號 | 離子源 KDC 75 |
Discharge | DC 熱離子 |
離子束流 | >250 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 7.5 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-15 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 20.1 cm |
直徑 | 14 cm |
中和器 | 燈絲 |
針對氮化硅刻蝕工藝中硅襯底刻蝕損失的問題, 為了提高氮化硅對二氧化硅的刻蝕選擇比, 采用 CF4, CH3F和O2這3種混合氣體刻蝕氮化硅, 通過調整氣體流量比, 腔內壓強及功率, 研究其對氮化硅刻蝕速率、二氧化硅刻蝕速率及氮化硅對二氧化硅選擇比等主要刻蝕參數的影響.
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