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深圳某電子公司采用Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 對陶瓷板的 Pt、Au、Cr 薄膜刻蝕, 高端印制電路板生產為主
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術參數
Φ4 inch X 12片 | 基片尺寸 | Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
均勻性 | ?5% | |
硅片刻蝕率 | 20 nm/min | |
樣品臺 | 直接冷卻,水冷 | |
離子源 | Φ20cm 考夫曼離子源 |
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Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:
離子源型號 | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
中和器 | LFN 2000 |
推薦 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 理由:
1. 客戶要求規?；a, Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 適合大規模量產使用
2. 刻蝕均勻性 ?5%, 滿足客戶要求
3. 工作臺冷卻方式: 直接水冷
4. 樣品裝載數: 18片/批（2″）或4片/批（4″）
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