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上海某大學研究室在離子濺射制備類金剛石 Ta-C 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 作為濺射源
KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:
射頻離子源型號 | RFICP380 |
Discharge 陽極 | 射頻 RFICP |
離子束流 | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 39 cm |
直徑 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
該實驗以 99.9% 純度 Ti 靶和純度石墨靶為原材料, 通過離子濺射技術在硬質合金表面制備 Ta-C涂層.
研究結果:
石墨靶濺射時間 55min 時制備的 Ta-C涂層綜合性能較優, 涂層摩擦系數較低達到 0.13, 對膜副表面形成了石墨轉移膜, 對 Ta-C 涂層起到潤滑作用.
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