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某紅外半導體鍍膜工業廠商采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積紅外器件介質膜, 以提高鍍膜厚度的均勻性.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:
離子源型號 | RFICP220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 30 cm |
直徑 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
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提高鍍膜均勻性的重要性：
以碲鎘汞半導體材料為代表的紅外探測器器件工藝中, 幾乎都要進行表面鈍化和金屬膜電極成型工藝, 在紅外焦平面和讀出電路的互連工藝中, 金屬膜的厚度均勻性對于互連工藝的可靠性起著至關重要的作用. 在背照式紅外探測器的紅光收面, 往往都要涂鍍一層或數層介質膜, 以起到對器件進行保護和對紅外輻射減反射的作用, 介質膜的厚度均勻性同樣會影響探測器的濾光和接收帶寬.
為了提高均勻性, 客戶同時采用基片離心旋轉法, 樣品臺轉速為 15 r/min.
KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
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