廈門圣企機電設備有限公司

代女士:15159233533（微信） 

固話: 0592-6081295

QQ :  2587258111 

在磁通密度高的場合，鐵磁材料的導磁率不穩(wěn)定，這種情況下可以采用變磁導式壓力傳感器測量。變磁導式壓力傳感器用一個可移動的磁性元件代HYDAC賀德克EDS3448-5-0250-000 ZBE08傳感器 

替鐵芯，壓力的變化導致磁性元件的移動，從而磁導率發(fā)生改變，由此得出壓力值。

霍爾壓力傳感器HYDAC賀德克EDS3448-5-0250-000 ZBE08傳感器 

霍爾壓力傳感器是基于某些半導體材料的霍爾效應制成的。霍爾效應是指當固體導體放置在一個磁場內(nèi)，且有電流通過時，導體內(nèi)的電荷載子受到
洛倫茲力而偏向一邊，繼而產(chǎn)生電壓（霍爾電壓）的現(xiàn)象。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性，可證實導體內(nèi)部的電流是
由帶有負電荷的粒子（自由電子）之運動所造成。

在導體上外加與電流方向垂直的磁場，會使得導線中的電子受到洛倫茲力而聚集，從而在電子聚集的方向上產(chǎn)生一個電場，此電場將會使后來的電
子受到電力作用而平衡掉磁場造成的洛倫茲力，使得后來的電子能順利通過不會偏移，此稱為霍爾效應。而產(chǎn)生的內(nèi)建電壓稱為霍爾電壓。

當磁場為一交變磁場時，霍爾電動勢也為同頻率的交變電動勢，建立霍爾電動勢的時間極短，故其響應頻率高。理想霍爾元件的材料要求要有較高
的電阻率及載流子遷移率，以便獲得較大的霍爾電動勢。常用霍爾元件的材料大都是半導體，包括N型硅(Si)、銻化銦(InSb)、砷化銦InAs)、鍺
(Ge)、砷化鎵GaAs)及多層半導體質(zhì)結構材料，N型硅的霍爾系數(shù)、溫度穩(wěn)定性和線性度均較好，砷化鎵溫漂小，目前應用。

電渦流壓力傳感器

HDA 4744-A-016-000壓力傳感器
HDA 4745-A-250-031壓力傳感器(200bar)
HDA 4745-A-250-000壓力傳感器
HDA 4745-A-400-000壓力傳感器
HDA 4745-A-600-031壓力傳感器(350bar)
HDA 4745-B-400-000壓力傳感器
HDA 4744-A-400-000壓力傳感器
HDA 4745-A-100-000壓力傳感器
HDA 4744-A-160-000壓力傳感器
HDA 4745-A-600-031壓力傳感器(400bar)
HDA 4745-A-016-000壓力傳感器
HDA 4744-A-060-000壓力傳感器
HDA 4745-A-060-000壓力傳感器
HDA 4744-A-600-000壓力傳感器
HDA 4744-A-006-000
HDA 4744-A-100-000
HDA 4744-A-250-000
HDA 4745-A-006-000
HDA 4745-A-600-000
HDA 4744-B-006-000
HDA 4744-B-016-000
HDA 4744-B-060-000
HDA 4744-B-100-000
HDA 4744-B-250-000
HDA 4744-B-400-000
HDA 4744-B-600-000
HDA 4745-B-006-000
HDA 4745-B-016-000
HDA 4745-B-060-000
HDA 4745-B-100-000