產品描述

Hakuto 全自動離子蝕刻機 MEL3100 具有良好的均勻性和高蝕刻率, 均勻度 < ?5%, 蝕刻速率 >10 nm/min, 具有高冷卻效果.

所有流程全自動減少人工操作, 從而保證了產品的無差錯、高穩定性和高質量.

占用空間小, 容易維護和用戶操作友好.

Hakuto 全自動離子蝕刻機 MEL3100 產品優勢：

1. 所有流程全自動減少人工操作, 從而保證了產品的無差錯、高穩定性和高質量

2. 盒式房間采用高效微粒過濾器

3. 采用高質量的蝕刻考夫曼離子源, 保證良好的均勻性和高蝕刻率

4. 占用空間小

5. 傳輸系統采用了 SCARA 型機器人

6. 控制單元系統提供操作通過觸摸屏/ 10.4英寸, 數據記錄可以顯示在屏幕上

7. 高冷卻效果

8. 良好的重復性和再現性的旋轉和傾斜階段具有良好的可重復性利用脈沖電動機

9. 容易維護這個系統設計重點是容易維護和用戶友好

10. 關鍵部件服務伯東的經銷商是系統中的關鍵部件渦輪泵系統、離子源提供客戶快速響應時間和本地服務能力,減少停機時間的工具

Hakuto 全自動離子蝕刻機 MEL3100 技術參數：

 Hakuto 全自動離子蝕刻機 MEL3100 技術參數:

Model		MEL3100		Main body
Wafer size		3"～6"		Power Supply	AC200V 3ph 40A
Wafer per batch		1 wafer			*two lines
Cassette	No.	25 wafers		Cooling Water	15 (l/min)
	Q'ty	1pc.			<20℃
Throughput		10 (wafer/hr) *1		CDA	0.5 (MPa)
Pressure	Ultimate	8?10-5 (Pa) *2			>10 (l/min)
	Process	2?10-2 (Pa) *2		N2	0.2 (MPa)
Etching	Rate	>10 (nm/min)@SiO2 *3			>40 (l/min)
	Uniformity	?5%@132mm (6") *3		Ar	0.2 (MPa)
Wafer surface temp.		<100℃ *3			20 (sccm)
Stage rotating		1～20 (rpm) ?5%		He	0.2 (MPa)
Stage tilting		?90??0.5?			20 (sccm)
Dimension W?D?H (mm)	Main body	1,600?2,175?1,900		*need additional utilities   for Dry pump
	Controller	640?610?1,900
	Chiller	555?515?1,025
Weight (kg)	Main body	1,700
	Controller	200
	Chiller	100
*1: Estimated process time 5min
*2: No wafer on stege / process chamber
*3: Depending on process

Hakuto 全自動離子蝕刻機 MEL3100 產品示意圖：