產(chǎn)品描述

上海伯東代理美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.

尺寸: 直徑= 3.7“  高= 3”

放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a

操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

美國 KRI 霍爾離子源 eH 400 產(chǎn)品特性：

伯東 KRI 霍爾離子源 eH 400 特性：

1.可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 最大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽極

2.寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率

3.多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng)

4.高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

美國 KRI 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù)：

KRI 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)	eH 400 / eH 400 LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300 V VDC
- 離子源直徑	~ 4 cm
- 陽極結(jié)構(gòu)	模塊化
電源控制	eHx-3005A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度	> 45? (hwhm)
- 陽極	標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動(dòng)或快接法蘭
- 高度	3.0'
- 直徑	3.7'
- 加工材料	金屬 電介質(zhì) 半導(dǎo)體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	6-30”
- 自動(dòng)控制	控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

美國 KRI 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域：

KRI 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:

1.離子輔助鍍膜 IAD

2.預(yù)清潔 Load lock preclean

3.In-situ preclean

4.Low-energy etching

5.III-V Semiconductors

6.Polymer Substrates