產品描述

上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源, 離子束可聚焦, 平行, 散射.

離子束流: >100 mA~1500mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 

采用射頻技術產生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長, 更適合時間長的工藝要求. 提供高密度離子束, 滿足高工藝需求.

離子源采用模塊化設計, 方便清潔/ 保養/ 維修/ 安裝

美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列 技術參數：

射頻離子源 RFICP 系列技術參數:

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge	RFICP 射頻	RFICP 射頻	RFICP 射頻	RFICP 射頻	RFICP 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列 應用領域：

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP系列離子源應用:

1. 離子輔助鍍膜 IBAD( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )

2. 離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )

3. 表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )

4. 離子濺鍍IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)

5. 離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)