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雙電測電四探針電阻率/方阻測試儀

雙電測電四探針電阻率/方阻測試儀

價格:20000元瀏覽:94次聯系:張 / 13011946982 / 企業:北京百川宏宇交通設施有限公司留言店鋪收藏

導體材料電阻率測試儀GB/T 11073硅片徑向電阻率變化的測量方法提要探針與試樣壓力分為小于0.3N及0.3 N?0.8N兩種。以下文件中的條款通過本標準的引用商成為本標準的條款。但凡注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括訂正的內容)或修訂版均不適用于本標準,然而,鼓勵根據本標準達成協議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件,其新版本適用于本標準。GB/T 1552硅、儲單晶電阻率測定直排四探針法樣品臺和操針架樣品臺和探針架應符合GB/T152 中的規定。樣品臺上應具有旋轉360"的裝置。其誤差不大于士5",測量裝置測量裝置的典型電路叉圖1,范圍本標準規定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層,方塊電阻的測量范圍為10A-5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量,但其測量準確度尚未評估。使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件,測量兩內操針之間的電位差,引人與試樣幾何形軟有關的修正因子,計算出薄層電阻。覆蓋膜;導電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導體材料、薄膜材料方阻測試采用四探針組合雙電測量方法,液晶顯示,自動測量,自動量程,自動系數補償.高集成電路系統、恒流輸出;選配:PC軟件進行數據管理和處理.

雙電測數字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換,進行兩次電測量,對數據進行雙電測分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響.

采用四探針組合雙電測量方法,液晶顯示,自動測量,自動量程,自動系數補償.高集成電路系統、恒流輸出;選配:PC軟件進行數據管理和處理.

雙電測數字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換,進行兩次電測量,對數據進行雙電測分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響.

概述:采用四端測量法適用于生產企業、高等院校、科研部門,實驗室;是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的工具。可配置不同測量裝置測試不同類型材料之電阻率。液晶顯示,溫度補償功能,自動量程,自動測量電阻,電阻率,電導率數據。恒流源輸出;選配:PC軟件過程數據處理和標準電阻校準儀器,薄膜按鍵操作簡單,中文或英文兩種語言界面選擇,電位差計和電流計或數字電壓表,量程為1mV?100mV,分辨率為0.1%,直流輸入阻抗不小250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的圓截面。探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統其他部分之間的絕緣電照至少為10?Ω.探針排列和間距,四探針應以等距離直線排列,探針閥距及針突狀況應符合GB/T 552 中的規定。R=1(R R, )…………………………(3)R2=與(R; R,)計算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比,由表3中查出修正因子F,也可以見GB/T11073中規定的幾何修正因子。 9.4計算幾何修正因子F,見式(4)。對于薄層厚度小于3μm的試樣,選用針尖半徑為100μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平頭探針,針尖與試樣間壓力為0.3 N?0.8Ni對于薄層厚度不小于3μ的試樣,選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形操針,針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-雙刀雙撐電位選擇開關。.定。歐嬌表,能指示阻值高達10?日的漏電阻,溫度針0℃-40℃,小刻度為0.1℃。光照、高頻、需動、強電磁場及溫醒度等測試環境會影響測試結果,甲醇、99.5%,干燥氮氣。測量儀器探針系統操針為具有45"~150?角的圓罐形破化鴨振針,針實半徑分別為35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)電壓表輸入阻抗會引入測試誤差,硅片幾何形狀,表面粘污等會影響測試結果,R(TD-R_xF式中:計算每一測量位置的平均電阻R.,見式(3).試劑優級純,純水,25℃時電阻率大于2MN.cm,s=號(二[R,(TD-瓦(7D羽yt ..計算每一測量位置在所測溫度時的薄層電阻(可根據薄層電阻計算出對應的電阻率并修正到23℃,具體見表4)見式(5).用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上,試樣放置的時間應足夠長,到達熱平衡時,試樣溫度為23 ℃?1℃.接通電流,令其任一方向為正向,調節電流大小見表1測量范圍電阻率:1?10-4~2?105 Ω-cm,分辨率:1?10-5~1?102 Ω-cm方  阻:5?10-4~2?105 Ω/□,分辨率:5?10-5~1?102 Ω/□電  阻:1?10-5~2?105 Ω   ,分辨率:1?10-6~1?102 Ω 材料尺寸(由選配測試臺決定和測試方式決定)直    徑:A圓測試臺直接測試方式 Φ15~130mm,   方測試臺直接測試方式180mm?180mm,    長(高)度:測試臺直接測試方式 H≤100mm,    測量方位: 軸向、徑向均可

4-1/2 位數字電壓表:

    (1)量程: 20.00mV~2000mV

    (2)誤差:?0.1%讀數?2 字

數控恒流源

   (1)量程:0.1μA,1μA,10μA,100?A,1mA,10mA,100mA,1A

   (2)誤差:?0.1%讀數?2 字

所給出的某一合適值,測量并記錄所得數據,所有測試數據至少應取三位有效數字。改變電流方向,測量、記錄數據。關斷電流,搶起探針裝置,對仲裁測量,探針間距為1.59

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