介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀廠家  .儀器特點(diǎn)：

☆接線簡單（正接法兩根線，反接可使用一根線），所有電纜線均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，測量電壓緩升、緩降，全自動(dòng)測量，結(jié)果直讀無須換算。

☆多種測量方式 可選擇正/反接線、內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容器和內(nèi)/外試驗(yàn)電壓進(jìn)行測量。正接線可測量高壓介損。

☆ 抗震性能 儀器可承受長途運(yùn)輸中強(qiáng)烈震動(dòng)顛簸而不會(huì)損壞。

☆ 抗干擾能力強(qiáng) 采用自動(dòng)跟蹤干擾抵償電路，將矢量運(yùn)算法與移相法結(jié)合，有效地消除強(qiáng)電場干擾對(duì)測量的影響，適用于500kV及其以下電站的現(xiàn)場試驗(yàn)。

☆CVT測量 獨(dú)特自激法測量CVT功能，不需外加任何設(shè)備，可完成不可拆頭CVT的測量。一次接線（三根電纜，不用倒線），一個(gè)測量過程（大約1分鐘），兩個(gè)最終測量結(jié)果（C1和C2的介損及電容值）。測量過程中文顯示，能實(shí)時(shí)監(jiān)測自激電流值和試驗(yàn)電壓（高壓）值。能消除引線對(duì)測試的影響，測量結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

☆ 安全措施

（1）高壓保護(hù)：試品短路、擊穿或高壓電流波動(dòng)，能迅速切斷高壓輸出。

（2）CVT保護(hù)：設(shè)定自激電壓的過流點(diǎn)，一旦超出設(shè)置的電流值，儀器自動(dòng)退出測量，不會(huì)損壞設(shè)備。

（3）接地檢測：儀器有接地檢測功能，未接地時(shí)不能升壓測量。

（4）防誤操作：具備防誤操作設(shè)計(jì)，能判別常見接線錯(cuò)誤，安全報(bào)警。

（5）防“容升”：測量大容量試品時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng)，儀器能自動(dòng)跟蹤輸出電壓，保持試驗(yàn)電壓恒定。

☆VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點(diǎn)陣顯示器，在嚴(yán)冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單，操作提示各種警告信息，直觀明了，不需查閱說明書即可操作。

☆打印 儀器附有微型打印機(jī)，以中文方式打印輸出測量結(jié)果及狀態(tài)。

☆RS232儀器具有RS232接口，與計(jì)算機(jī)連接便于數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)和處理及保存。

☆可選購與計(jì)算機(jī)通信應(yīng)用程序。

介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀廠家  西林電橋是測量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的最經(jīng)典的裝置。它可使用從低于工頻(50 Hz-60 Hz)直至100 kHz的頻率范圍，通常測定50 pF-1 000 pF的電容(試樣或被試設(shè)備通常所具有的電容)這是一個(gè)四臂回路(圖A. 1)。其中兩個(gè)臂主要是電容(未知電容Cx和一個(gè)無損耗電容C,)。另外兩臂(通常稱之為測量臂)由無感電阻R，和R:組成，電阻R,在未知電容Cx的對(duì)邊上，測量臂至少被一個(gè)電容C,分流 一般地說，電容C:和兩個(gè)電阻R,和R:中的一個(gè)是可調(diào)的。

    如果采用電阻R、和(純)電容C的串聯(lián)等值回路來表示電容Cx，則圖A. 1所示的電橋平衡時(shí)導(dǎo)出:

       R1

Cs=Cn?——

       R2

和tanδx=ωCSRS=ωC1R1

如果電阻R2被一個(gè)電容C2分流，則tanδ =的公式變?yōu)椋?/p>

Tanδx=ωC1R1---ωC2R2

由于頻率范圍的不同，實(shí)際上電橋構(gòu)造會(huì)有明顯的不同。例如一個(gè)50 pF-1 000 pF的電容在50 Hz時(shí)的阻抗為60 MΩ-3 MΩ，在100 kHz時(shí)的阻抗為3 000Ω-1 500Ω.

頻率為100 kHz時(shí)，橋的四個(gè)臂容易有相同數(shù)量級(jí)的阻抗，而在50 Hz-60 Hz的頻率范圍內(nèi)則是不可能的。因此，出現(xiàn)了低頻和(相對(duì))高頻兩種不同形式的電橋.

高頻電橋
由于它不再是一個(gè)高壓電橋，因此承受電壓U1的臂能容易地引人可調(diào)元件;替代法在此適用
 還應(yīng)指出，帶有分開的初級(jí)繞組的電橋允許電源和檢測器互換位置。其平衡與在次級(jí)繞組中對(duì)應(yīng)
的安匝數(shù)的補(bǔ)償相符.

電介質(zhì)的用途

 電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐，并且使元件對(duì)地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質(zhì)

參數(shù)：

1．Q值測量范圍：1—1023；

2．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔；

3．電感測量范圍：1nH—140mH；

4．電容直接測量范圍：1pF～25nF；???????

5．主電容調(diào)節(jié)范圍：?17pF—240pF

6．準(zhǔn)確度?150pF以下?1pF；150pF以上?1%

7．信號(hào)源頻率覆蓋范圍100kHz—160MHz；

8．合格指示預(yù)置功能范圍：5～1000

9．環(huán)境溫度：0℃～ 40℃；

10．消耗功率：約25W；電源：220V?22V，50Hz?2.5Hz。

11.信號(hào)源:?100KHZ-160MHZ

12.提供廠家授權(quán)書原件及產(chǎn)品彩頁。

13.電感組LKI-1，分別有0.05uH?、0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH十個(gè)電感組成。

14.?介質(zhì)損耗測試夾具：

A:4位數(shù)顯式調(diào)節(jié)微桿；

B:極片尺寸：Φ50mm?或Φ38mm（二選一）；

C:夾具損耗正切值≤4?10－4?（1MHz）。

15.液體杯

直徑48mm?深度?7mm,可與S916下極片互換使用。

16.夾具工作特性

極片尺寸：??Φ50mm/Φ38mm可選；

極片間距可調(diào)范圍：?≥15mm;夾具插頭間距：25mm?0.01mm;

夾具損耗正切值：≤4?10－4?（1MHz）；

測微桿分辨率：?≤0.001mm。

17.配置：

主機(jī) 一臺(tái)

電感 一套

夾具 一套

電氣絕緣材料的性能和用途

 1、電介質(zhì)的用途

 電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐，并且使元件對(duì)地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質(zhì)

2、影響介電性能的因素

 下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響。

2.1頻率

 因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的。r和tans幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。

 電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，最重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的.

2.2溫度

 損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)最大值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的，這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)最大值位置。

2.3濕度

 極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是必不可少的.

 注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)

2.4電場強(qiáng)度

 存在界面極化時(shí)，自由離子的數(shù)目隨電場強(qiáng)度增大而增加，其損耗指數(shù)最大值的大小和位置也隨此而變。

 在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強(qiáng)度無關(guān)

概念：

電介質(zhì)在外電場作用下，其內(nèi)部會(huì)有發(fā)熱現(xiàn)象，這說明有部分電能已轉(zhuǎn)化為熱能耗散掉，電介質(zhì)在電場作用下，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱而消耗的能量稱為電介質(zhì)的損耗功率，或簡稱介質(zhì)損耗（diclectric loss）。介質(zhì)損耗是應(yīng)用于交流電場中電介質(zhì)的重要品質(zhì)指標(biāo)之一。介質(zhì)損耗不但消耗了電能，而且使元件發(fā)熱影響其正常工作。如果介電損耗較大，甚至?xí)鸾橘|(zhì)的過熱而絕緣破壞，所以從這種意義上講，介質(zhì)損耗越小越好。

介電常數(shù),用于衡量絕緣體儲(chǔ)存電能的性能.它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質(zhì)時(shí)的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質(zhì)或真空時(shí)的電容量之比。介電常數(shù)代表了電介質(zhì)的極化程度，也就是對(duì)電荷的束縛能力，介電常數(shù)越大，對(duì)電荷的束縛能力越強(qiáng)。電容器兩極板之間填充的介質(zhì)對(duì)電容的容量有影響，而同一種介質(zhì)的影響是相同的，介質(zhì)不同，介電常數(shù)不同。

形式

各種不同形式的損耗是綜合起作用的。由于介質(zhì)損耗的原因是多方面的，所以介質(zhì)損耗的形式也是多種多樣的。介電損耗主要有以下形式：

1）漏導(dǎo)損耗

實(shí)際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì)，在外電場的作用下，總有一些帶電粒子會(huì)發(fā)生移動(dòng)而引起微弱的電流，這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流，漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時(shí)使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”。由于實(shí)阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位，因此介質(zhì)不論在直流電場或交變電場作用下都會(huì)發(fā)生漏導(dǎo)損耗。

2）極化損耗

在介質(zhì)發(fā)生緩慢極化時(shí)（松弛極化、空間電荷極化等），帶電粒子在電場力的影響下因克服熱運(yùn)動(dòng)而引起的能量損耗。

　　一些介質(zhì)在電場極化時(shí)也會(huì)產(chǎn)生損耗，這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩(wěn)定所需時(shí)間很短（約為10-16～10-12s），這在無線電頻率（5?1012Hz以下）范圍均可認(rèn)為是極短的，因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化（例如松弛極化、空間電荷極化等）在外電場作用下，需經(jīng)過較長時(shí)間（10-10s或更長）才達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，因此會(huì)引起能量的損耗。

若外加頻率較低，介質(zhì)中所有的極化都能完全跟上外電場變化，則不產(chǎn)生極化損耗。若外加頻率較高時(shí)，介質(zhì)中的極化跟不上外電場變化，于是產(chǎn)生極化損耗。[2]

3）電離損耗

　　電離損耗（又稱游離損耗）是由氣體引起的，含有氣孔的固體介質(zhì)在外加電場強(qiáng)度超過氣孔氣體電離所需要的電場強(qiáng)度時(shí)，由于氣體的電離吸收能量而造成指耗，這種損耗稱為電離損耗。

　　4）結(jié)構(gòu)損耗

在高頻電場和低溫下，有一類與介質(zhì)內(nèi)鄰結(jié)構(gòu)的緊密度密切相關(guān)的介質(zhì)損耗稱為結(jié)構(gòu)損耗。這類損耗與溫度關(guān)系不大，耗功隨頻率升高而增大。

試驗(yàn)表明結(jié)構(gòu)緊密的晶體成玻璃體的結(jié)構(gòu)損耗都很小，但是當(dāng)某此原因（如雜質(zhì)的摻入、試樣經(jīng)淬火急冷的熱處理等）使它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)松散后。其結(jié)構(gòu)耗就會(huì)大大升高。

5）宏觀結(jié)構(gòu)不均勾性的介質(zhì)損耗

工程介質(zhì)材料大多數(shù)是不均勻介質(zhì)。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和氣相，各相在介質(zhì)中是統(tǒng)計(jì)分布口。由于各相的介電性不同，有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質(zhì)的電場分布不均勻，造成局部有較高的電場強(qiáng)度而引起了較高的損耗。但作為電介質(zhì)整體來看，整個(gè)電介質(zhì)的介質(zhì)損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。

工程材料：

離子晶體的損耗

離子晶體的介質(zhì)損耗與其結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。

緊密結(jié)構(gòu)的晶體離子都排列很有規(guī)則，鍵強(qiáng)度比較大，如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等，在外電場作用下很難發(fā)生離子松弛極化，只有電子式和離子式的位移極化，所以無極化損耗，僅有的一點(diǎn)損耗是由漏導(dǎo)引起的（包括本質(zhì)電導(dǎo)和少量雜質(zhì)引起的雜質(zhì)電導(dǎo)）。這類晶體的介質(zhì)損耗功率與頻率無關(guān)，損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此，以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等

結(jié)構(gòu)松散的離子晶體，如莫來石（3Al2O3?2SiO2）、董青石（2MgO?2Al2O3?5SiO2）等，其內(nèi)部有較大的空隙或晶格畸變，含有缺陷和較多的雜質(zhì)，離子的活動(dòng)范圍擴(kuò)大。在外電場作用下，晶體中的弱聯(lián)系離子有可能貫穿電極運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生電導(dǎo)打耗。弱聯(lián)系離子也可能在一定范圍內(nèi)來回運(yùn)動(dòng)，形成熱離子松弛，出現(xiàn)極化損耗。所以這類晶體的介質(zhì)損耗較大，由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻，只能應(yīng)用于低頻場合。

介質(zhì)損耗（dielectric loss）指的是絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。

介質(zhì)損耗因數(shù)（dielectric loss factor）指的是衡量介質(zhì)損耗程度的參數(shù)。

北廣精儀公司電性能及橡膠塑料相關(guān)產(chǎn)品：

BEST-19導(dǎo)體材料電阻率測試儀                

BQYH-96塑料球壓痕硬度計(jì)

BWN拉力材料試驗(yàn)機(jī)（電子拉力，金屬材料，非金屬材料，管材，高低溫，液壓伺服拉力試驗(yàn)機(jī)）

BDJC-10KV-200KV電壓擊穿試驗(yàn)儀（介，固體絕緣材料電氣介電強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)）

BEST-121體積表面電阻率測定儀（可測試固體液體膏體粉末材料）

M-200橡膠塑料滑動(dòng)摩擦試驗(yàn)機(jī)（國標(biāo)，非國標(biāo)，可定制）

GDAT-A介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀（可測試固體液體）

BQS-37A高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀          

BMD-A計(jì)算機(jī)控制馬丁耐

BDH-20KV絕緣材料耐電弧性能試驗(yàn)儀/高電壓小電流測試儀

BWK-300A液顯熱變形維卡軟化點(diǎn)溫度測定儀     

HMMD-A海綿密度測定儀

BRT-400Z熔體流動(dòng)速率測定儀/熔融指數(shù)儀      

JF-3氧指數(shù)測定儀

HMYX-2000海綿泡沫壓陷硬度測定儀            

HMLS-1000海綿拉伸強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)

HMLQ-500海綿泡沫落球回彈儀                 

BLD-6000V高壓漏電起痕試驗(yàn)儀

HMPL-2000海綿泡沫疲勞沖擊測定儀            

BLD-600V漏電起痕試驗(yàn)儀

HMYS-200海綿壓縮永久變形試驗(yàn)機(jī)             

BLB-30管材落鏢沖擊試驗(yàn)機(jī)

BCM-03擺錘薄膜沖擊試驗(yàn)機(jī)

XCY-III低溫脆性試驗(yàn)機(jī)                      

BZR-A汽車內(nèi)飾材料阻燃性能試驗(yàn)機(jī)

CZF-5水平垂直燃燒試驗(yàn)儀                    

BLC-2000落球沖擊試驗(yàn)機(jī)