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高頻西林電橋介電常數測試儀

高頻西林電橋介電常數測試儀

價格:38450元瀏覽:109次聯系:劉元元 / 15132636097 / 企業:北京北廣精儀儀器設備有限公司留言店鋪收藏

高頻西林電橋介電常數測試儀  高頻西林電橋

    這種電橋通常在中等的電壓下工作,是比較靈活方便的一種電橋;通常電容CN是可變的(在高壓電橋中電容CN通常是固定的),比較容易采用替代法。

    由于不期望電容的影響隨頻率的增加而增加,因此仍可有效使用屏蔽和瓦格納接地線路。

高頻西林電橋介電常數測試儀  儀器特點:

☆接線簡單(正接法兩根線,反接可使用一根線),所有電纜線均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,測量電壓緩升、緩降,全自動測量,結果直讀,無須換算。

☆多種測量方式 可選擇正/反接線、內/外標準電容器和內/外試驗電壓進行測量。正接線可測量高壓介損。

☆ 抗震性能 儀器可承受長途運輸中強烈震動顛簸而不會損壞。

☆ 抗干擾能力強 采用自動跟蹤干擾抵償電路,將矢量運算法與移相法結合,有效地消除強電場干擾對測量的影響,適用于500kV及其以下電站的現場試驗。

☆CVT測量 獨特自激法測量CVT功能,不需外加任何設備,可完成不可拆頭CVT的測量。一次接線(三根電纜,不用倒線),一個測量過程(大約1分鐘),兩個最終測量結果(C1和C2的介損及電容值)。測量過程中文顯示,能實時監測自激電流值和試驗電壓(高壓)值。能消除引線對測試的影響,測量結果準確可靠。

☆ 安全措施

(1)高壓保護:試品短路、擊穿或高壓電流波動,能迅速切斷高壓輸出。

(2)CVT保護:設定自激電壓的過流點,一旦超出設置的電流值,儀器自動退出測量,不會損壞設備。

(3)接地檢測:儀器有接地檢測功能,未接地時不能升壓測量。

(4)防誤操作:具備防誤操作設計,能判別常見接線錯誤,安全報警。

(5)防“容升”:測量大容量試品時會出現電壓抬高的“容升”效應,儀器能自動跟蹤輸出電壓,保持試驗電壓恒定。

☆VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點陣顯示器,在嚴冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單,操作提示各種警告信息,直觀明了,不需查閱說明書即可操作。

☆打印 儀器附有微型打印機,以中文方式打印輸出測量結果及狀態。

☆RS232儀器具有RS232接口,與計算機連接便于數據的統計和處理及保存。

☆可選購與計算機通信應用程序。

 

介電常數,用于衡量絕緣體儲存電能的性能.它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質時的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質或真空時的電容量之比。介電常數代表了電介質的極化程度,也就是對電荷的束縛能力,介電常數越大,對電荷的束縛能力越強。電容器兩極板之間填充的介質對電容的容量有影響,而同一種介質的影響是相同的,介質不同,介電常數不同

高頻電橋
由于它不再是一個高壓電橋,因此承受電壓U1的臂能容易地引人可調元件;替代法在此適用
 還應指出,帶有分開的初級繞組的電橋允許電源和檢測器互換位置。其平衡與在次級繞組中對應
的安匝數的補償相符.

標稱誤差

 

A(高頻)

C(工頻)

頻率范圍

25kHz~10MHz

100kHz~10MHz

固有誤差

≤5%?滿度值的2%

≤5%?滿度值的2%

工作誤差

≤7%?滿度值的2%

≤7%?滿度值的2%

頻率范圍

10MHz~60MHz

10MHz~160MHz

固有誤差

≤6%?滿度值的2%

≤6%?滿度值的2%

工作誤差

≤8%?滿度值的2%

≤8%?滿度值的2%

工作條件

   a. 環境溫度:0℃~ 40℃;

   b.相對濕度:<80%;

   c.電源:220V?22V,50Hz?2.5Hz。

電介質的用途

 電介質一般被用在兩個不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐,并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質

電介質在外電場作用下,其內部會有發熱現象,這說明有部分電能已轉化為熱能耗散掉,電介質在電場作用下,在單位時間內因發熱而消耗的能量稱為電介質的損耗功率,或簡稱介質損耗(diclectric loss)。介質損耗是應用于交流電場中電介質的重要品質指標之一。介質損耗不但消耗了電能,而且使元件發熱影響其正常工作。如果介電損耗較大,甚至會引起介質的過熱而絕緣破壞,所以從這種意義上講,介質損耗越小越好。

測試注意事項

a.本儀器應水平安放;

b.如果你需要較精確地測量,請接通電源后,預熱30分鐘;

c.調節主調電容或主調電容數碼開關時,當接近諧振點時請緩調;

d.被測件和測試電路接線柱間的接線應盡量短,足夠粗,并應接觸良好、可靠,以減少因接線的電阻和分布參數所帶來的測量誤差;

e.被測件不要直接擱在面板頂部,離頂部一公分以上,必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊;

f.手不得靠近試件,以免人體感應影響造成測量誤差,有屏蔽的試件,屏蔽罩應連接在低電位端的接線柱。

形式

各種不同形式的損耗是綜合起作用的。由于介質損耗的原因是多方面的,所以介質損耗的形式也是多種多樣的。介電損耗主要有以下形式:

1)漏導損耗

實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質,在外電場的作用下,總有一些帶電粒子會發生移動而引起微弱的電流,這種微小電流稱為漏導電流,漏導電流流經介質時使介質發熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質損耗稱為“漏導損耗”。由于實阿的電介質總存在一些缺陷,或多或少存在一些帶電粒子或空位,因此介質不論在直流電場或交變電場作用下都會發生漏導損耗。

2)極化損耗

在介質發生緩慢極化時(松弛極化、空間電荷極化等),帶電粒子在電場力的影響下因克服熱運動而引起的能量損耗。

  一些介質在電場極化時也會產生損耗,這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩定所需時間很短(約為10-16~10-12s),這在無線電頻率(5?1012Hz以下)范圍均可認為是極短的,因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化(例如松弛極化、空間電荷極化等)在外電場作用下,需經過較長時間(10-10s或更長)才達到穩定狀態,因此會引起能量的損耗。

若外加頻率較低,介質中所有的極化都能完全跟上外電場變化,則不產生極化損耗。若外加頻率較高時,介質中的極化跟不上外電場變化,于是產生極化損耗。[2]

3)電離損耗

  電離損耗(又稱游離損耗)是由氣體引起的,含有氣孔的固體介質在外加電場強度超過氣孔氣體電離所需要的電場強度時,由于氣體的電離吸收能量而造成指耗,這種損耗稱為電離損耗。

  4)結構損耗

在高頻電場和低溫下,有一類與介質內鄰結構的緊密度密切相關的介質損耗稱為結構損耗。這類損耗與溫度關系不大,耗功隨頻率升高而增大。

試驗表明結構緊密的晶體成玻璃體的結構損耗都很小,但是當某此原因(如雜質的摻入、試樣經淬火急冷的熱處理等)使它的內部結構松散后。其結構耗就會大大升高。

5)宏觀結構不均勾性的介質損耗

工程介質材料大多數是不均勻介質。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和氣相,各相在介質中是統計分布口。由于各相的介電性不同,有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質的電場分布不均勻,造成局部有較高的電場強度而引起了較高的損耗。但作為電介質整體來看,整個電介質的介質損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。

介質損耗(dielectric loss)指的是絕緣材料在電場作用下,由于介質電導和介質極化的滯后效應,在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失,簡稱介損。

介質損耗因數(dielectric loss factor)指的是衡量介質損耗程度的參數。

頻率范圍

10kHz~50MHz

頻率分段

(虛擬)

10~99.9999kHz

100~999.999kHz

1~9.99999MHz

10~60MHz

技術參數:

1.Q值測量

a.Q值測量范圍:2~1023。

b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

c.標稱誤差

     頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):

     固有誤差:≤5%?滿度值的2%固有誤差:≤6%?滿度值的2%

     工作誤差:≤7%?滿度值的2%工作誤差:≤8%?滿度值的2%

2.電感測量范圍:4.5nH~7.9mH

3.電容測量:1~205

     主電容調節范圍:18~220pF

     準確度:150pF以下?1.5pF;150pF以上?1%

     注:大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明

4.  信號源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,

     CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,

5.Q合格指示預置功能:      預置范圍:5~1000。

6.其他

a.消耗功率:約25W;

b.凈重:約7kg;

c.外型尺寸:(l?b?h)mm:380?132?280。

表征:

電介質在恒定電場作用下,介質損耗的功率為

  W=U2/R=(Ed)2S/ρd=σE2Sd

定義單位體積的介質損耗為介質損耗率為

ω=σE2

在交變電場作用下,電位移D與電場強度E均變為復數矢量,此時介電常數也變成復數,其虛部就表示了電介質中能量損耗的大小。

D,E,J之間的相位關系圖

D,E,J之間的相位關系圖

如圖所示,從電路觀點來看,電介質中的電流密度為

J=dD/dt=d(εE)/dt=Jτ iJe

式中Jτ與E同相位。稱為有功電流密度,導致能量損耗;Je,相比較E超前90?,稱為無功電流密度。

定義

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中,δ稱為損耗角,tanδ稱為損耗角正切值。

損耗角正切表示為獲得給定的存儲電荷要消耗的能量的大小,是電介質作為絕緣材料使用時的重要評價參數。為了減少介質損耗,希望材料具有較小的介電常數和更小的損耗角正切。損耗因素的倒數Q=(tanδ)-1在高頻絕緣應用條件下稱為電介質的品質因素,希望它的值要高。

特點:

◆ 優化的測試電路設計使殘值更小

◆ 高頻信號采用數碼調諧器和頻率鎖定技術

◆LED數字讀出品質因數,手動/自動量程切換

◆ 自動掃描被測件諧振點,標頻單鍵設置和鎖定,大大提高測試速度

滿足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數的推薦方法

介質損耗:絕緣材料在電場作用下,由于介質電導和介質極化的滯后效應,在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失,簡稱介損。在交變電場作用下,電介質內流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數角Φ)的余角δ稱為介質損耗角。

損耗因子也指耗損正切,是交流電被轉化為熱能的介電損耗(耗散的能量)的量度,一般情況下都期望耗損因子低些好。

電橋測量靈敏度

 

    電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測量準確度,

 

希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓,標準電容量

 

成正比。

 

    在下面的計算公式中,用戶可根據實際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這

 

個水平上的電容與介質損耗因數的微小變化都能夠反應出來。

 

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1 Rg/R4 Cn/Cx)   

 

         式中:U為測量電壓                    伏特(V)

 

ω為角頻率2pf=314(50Hz)                            

 

          Cn標準電容器容量                   皮法(pF)

 

          Ig通用指另儀的電流5X10-10            安培(A)

 

          Rg平衡指另儀內阻約1500              歐姆(W)

 

          R4橋臂R4電阻值3183                 歐姆(W)

 

          Cx被測試品電容值                   皮法(pF)

售后服務

一、安裝調試:協助試驗機的安裝,負責試驗機的運輸、調試。

二、驗收標準:試驗機按訂貨技術附件進行驗收。終驗收在買方進行,對用戶提供的試樣進行試驗,并提供測試報告。

三、培訓:安裝調試同時,在儀器操作現場一次性免費培訓操作人員2-3名,該操作人員應是由需方選派的長期穩定的員工,培訓后能夠對設備基本原理、軟件使用、操作、維護事項理解和應用,使人員能夠獨立操作設備對樣品進行檢測、分析,同時能進行基本的維護。

四、軟件升級:終生免費提供新版本控制軟件。

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