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北京塑料介電常數測試儀

北京塑料介電常數測試儀

價格:28650元瀏覽:187次聯系:劉元元 / 15132636097 / 企業:北京北廣精儀儀器設備有限公司留言店鋪收藏

北京塑料介電常數測試儀  主要特點:

空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環氧樹脂組成的,玻纖介電常數為5~6,樹脂大約是3,由于樹脂含量,硬化程度,溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差,傳統測量方法樣品制作不易,尤其是薄膜樣品(小于10 mil)量測值偏低,。

北京塑料介電常數測試儀  Q值測量

  a.Q值測量范圍:2~1023;

  b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔;

c.標稱誤差

 

A(高頻)

C(工頻)

頻率范圍

25kHz~10MHz

100kHz~10MHz

固有誤差

≤5%?滿度值的2%

≤5%?滿度值的2%

工作誤差

≤7%?滿度值的2%

≤7%?滿度值的2%

頻率范圍

10MHz~60MHz

10MHz~160MHz

固有誤差

≤6%?滿度值的2%

≤6%?滿度值的2%

工作誤差

≤8%?滿度值的2%

≤8%?滿度值的2%

工作條件

   a. 環境溫度:0℃~ 40℃;

   b.相對濕度:<80%;

   c.電源:220V?22V,50Hz?2.5Hz。

主要技術特性:

介質損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質,通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(ε),可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素,為提高材料的性能提供依據;儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數字鎖定,標準頻率測試點自動設定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉換,數值顯示等新技術,改進了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至最低,并保留了原Q表中自動穩幅等技術,使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯及串聯電阻,傳輸線的特性阻抗等。

介質損耗:絕緣材料在電場作用下,由于介質電導和介質極化的滯后效應,在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失,簡稱介損。在交變電場作用下,電介質內流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數角Φ)的余角δ稱為介質損耗角。

損耗因子也指耗損正切,是交流電被轉化為熱能的介電損耗(耗散的能量)的量度,一般情況下都期望耗損因子低些好。

漏導損耗

實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質,在外電場的作用下,總有一些帶電粒子會發生移動而引起微弱的電流,這種微小電流稱為漏導電流,漏導電流流經介質時使介質發熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質損耗稱為“漏導損耗”。由于實阿的電介質總存在一些缺陷,或多或少存在一些帶電粒子或空位,因此介質不論在直流電場或交變電場作用下都會發生漏導損耗。

宏觀結構不均勾性的介質損耗

工程介質材料大多數是不均勻介質。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和氣相,各相在介質中是統計分布口。由于各相的介電性不同,有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質的電場分布不均勻,造成局部有較高的電場強度而引起了較高的損耗。但作為電介質整體來看,整個電介質的介質損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。

技術指標:

☆Q值測量:

a.Q值測量范圍:2~1023。              b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

c.標稱誤差

      頻率范圍:20kHz~10MHz;       固有誤差:≤5%?滿度值的2%;工作誤差:≤7%?滿度值的2%;

      頻率范圍:10MHz~60MHz;      固有誤差:≤6%?滿度值的2%;工作誤差:≤8%?滿度值的2%。

☆電感測量:

a.測量范圍:14.5nH~8.14H。

b.分    檔:分七個量程。

      0.1~1μH,    1~10μH,    10~100μH,  

      0.1~lmH,     1~10mH,     10~100mH,   100 mH~1H。

☆電容測量:

a.測量范圍:1~460pF(460pF以上的電容測量見使用規則);

b.電容量調節范圍

      主調電容器:30~500pF;                準  確  度:150pF以下?1.5pF;150pF以上?1%;

      注:大于直接測量范圍的電容測量見使用規則

☆振蕩頻率:

a.振蕩頻率范圍:10kHz~50MHz;

b.頻率分段(虛擬)

10~99.9999kHz

100~999.999kHz

1~9.99999MHz

10~60MHz

c.頻率誤差:3?10-5?1個字。

☆儀器正常工作條件

a.環境溫度:0℃~ 40℃;            b.相對濕度:<80%;           c.電源:220V?22V,50Hz?2.5Hz。   

☆其他

a.消耗功率:約25W;            b.凈重:約7kg;          c.外型尺寸:(l?b?h)mm:380?132?280。

☆Q合格指示預置功能

預置范圍:5~1000。

☆主要配置:

a.測試主機一臺;

b.電感9只;

c.夾具一 套

使用方法

高頻Q表是多用途的阻抗測量儀器,為了提高測量精度,除了使Q表測試回路本身殘余參量盡可能地小,使耦合回路的頻響盡可能地好之外,還要掌握正確的測試方法和殘余參數修正方法。

測試注意事項

a.本儀器應水平安放;

b.如果你需要較精確地測量,請接通電源后,預熱30分鐘;

c.調節主調電容或主調電容數碼開關時,當接近諧振點時請緩調;

d.被測件和測試電路接線柱間的接線應盡量短,足夠粗,并應接觸良好、可靠,以減少因接線的電阻和分布參數所帶來的測量誤差;

e.被測件不要直接擱在面板頂部,離頂部一公分以上,必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊;

f.手不得靠近試件,以免人體感應影響造成測量誤差,有屏蔽的試件,屏蔽罩應連接在低電位端的接線柱。

離子晶體的損耗

離子晶體的介質損耗與其結構的緊密程度有關。

緊密結構的晶體離子都排列很有規則,鍵強度比較大,如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等,在外電場作用下很難發生離子松弛極化,只有電子式和離子式的位移極化,所以無極化損耗,僅有的一點損耗是由漏導引起的(包括本質電導和少量雜質引起的雜質電導)。這類晶體的介質損耗功率與頻率無關,損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此,以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等

結構松散的離子晶體,如莫來石(3Al2O3?2SiO2)、董青石(2MgO?2Al2O3?5SiO2)等,其內部有較大的空隙或晶格畸變,含有缺陷和較多的雜質,離子的活動范圍擴大。在外電場作用下,晶體中的弱聯系離子有可能貫穿電極運動,產生電導打耗。弱聯系離子也可能在一定范圍內來回運動,形成熱離子松弛,出現極化損耗。所以這類晶體的介質損耗較大,由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻,只能應用于低頻場合。

高頻線圈的Q值測量(基本測量法)

電感:

線圈號   測試頻率   Q值    分布電容p       電感值  

  9         100KHz      98       9.4           25mH

  8         400KHz     138       11.4        4.87mH

  7         400KHz    202       16           0.99mH

  6           1MHz     196       13          252μH

  5           2MHz     198       8.7        49.8μH

  4         4.5MHz    231       7             10μH

  3          12MHz      193     6.9         2.49μH

  2          12MHz      229     6.4        0.508μH            

  1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH

玻璃的損耗

復雜玻璃中的介質損耗主要包括三個部分:電導耗、松弛損耗和結構損耗。哪一種損耗占優勢,取決于外界因素溫度和電場頻率。高頻和高溫下,電導損耗占優勢:在高頻下,主要的是由弱聯系離子在有限范圍內移動造成的松弛損耗:在高頻和低溫下,主要是結構損耗,其損耗機理目前還不清楚,可能與結構的緊密程度有關。般來說,簡單玻璃的損耗是很小的,這是因為簡單玻璃中的“分子”接近規則的排列,結構緊密,沒有弱聯系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質損耗大大增加,并且隨著加人量的增大按指數規律增大。這是因為堿性氧化物進人玻璃的點陣結構后,使離子所在處點陣受到破壞,結構變得松散,離子活動性增大,造成電導損耗和松弛損耗增加。

陶瓷材料的損耗

陶瓷材料的介質損耗主要來源于電導損耗、松弛質點的極化損耗和結構損耗。此外,表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導也會引起較大的損耗。

在結構緊密的陶瓷中,介質損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能,往往在配方中引人此易熔物質(如黏土),形成玻璃相,這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大,介質損耗也增大。因面一般高頻瓷,如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數電陶瓷的離子松弛極化損耗較大,主要的原因是:主晶相結構松散,生成了缺固濟體、多品型轉變等。

高分子材料的損耗

高分子聚合物電介質按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地,偶極矩在0~0.5D(德拜)范圍內的是非極性高聚物;偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數和介質損耗,其介電常數約為2,介質損耗小于10-4;極性高聚物則具有較高的介電常數和介質損耗,并且極性愈大,這兩個值愈高。

高聚物的交聯通常能阻礙極性基團的取向,因此熱固性高聚物的介電常數和介質損耗均隨交聯度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子,雖然這種高聚物的極性很強,但只要固化比較完全,它的介質損耗就不高。相反,支化使分子鏈間作用力減弱,分子鏈活動能力增強,介電常數和介質損耗均增大。

高聚物的凝聚態結構及力學狀態對介電性景響也很大。結品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化,因此高聚物的介質損耗隨結晶度升高而下降。當高聚物結晶度大于70%時,鏈段上的偶極的極化有時完全被抑制,介電性能可降至最低值,同樣的道理,非晶態高聚物在玻璃態下比在高彈態下具有更低的介質損耗。此外,高聚物中的增塑利、雜質等對介電性能也有很大景響。

宏觀結構不均勾性的介質損耗

工程介質材料大多數是不均勻介質。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和氣相,各相在介質中是統計分布口。由于各相的介電性不同,有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質的電場分布不均勻,造成局部有較高的電場強度而引起了較高的損耗。但作為電介質整體來看,整個電介質的介質損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。

使用和保養

高頻Q表是比較精密的阻抗測量儀器,在合理使用和注意保養情況下,才能保證長期穩定和較高的測試精度。

a.熟悉本說明書,正確地使用儀器;

b.使儀器經常保持清潔、干燥;

c.本儀器保用期為18個月,如發現機械故障或失去準確度,可以原封送回本廠,免費修理。

特點:

◆ 優化的測試電路設計使殘值更小

◆ 高頻信號采用數碼調諧器和頻率鎖定技術

◆LED數字讀出品質因數,手動/自動量程切換

◆ 自動掃描被測件諧振點,標頻單鍵設置和鎖定,大大提高測試速度

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