價(jià)格:38450元瀏覽:178次聯(lián)系:劉元元 / 15132636097 / 企業(yè):北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司留言店鋪收藏
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)測(cè)試儀 是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。
儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)測(cè)試儀 電感測(cè)量:
a.測(cè)量范圍:14.5nH~8.14H。
b.分 檔:分七個(gè)量程。
0.1~1μH, 1~10μH, 10~100μH,
0.1~lmH, 1~10mH, 10~100mH, 100 mH~1H。
介質(zhì)損耗:絕緣材料在電場(chǎng)作用下,由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng),在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失,簡(jiǎn)稱介損。在交變電場(chǎng)作用下,電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數(shù)角Φ)的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。
損耗因子也指耗損正切,是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗(耗散的能量)的量度,一般情況下都期望耗損因子低些好
振蕩頻率:
a.振蕩頻率范圍:10kHz~50MHz;
b.頻率分段(虛擬)
10~99.9999kHz
100~999.999kHz
1~9.99999MHz
10~60MHz
c.頻率誤差:3?10-5?1個(gè)字。
滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
介電常數(shù),用于衡量絕緣體儲(chǔ)存電能的性能.它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質(zhì)時(shí)的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質(zhì)或真空時(shí)的電容量之比。介電常數(shù)代表了電介質(zhì)的極化程度,也就是對(duì)電荷的束縛能力,介電常數(shù)越大,對(duì)電荷的束縛能力越強(qiáng)。電容器兩極板之間填充的介質(zhì)對(duì)電容的容量有影響,而同一種介質(zhì)的影響是相同的,介質(zhì)不同,介電常數(shù)不同
標(biāo)準(zhǔn)配置:
高配Q表 一只
試驗(yàn)電極 一只(c類)
電感 一套(9只)
電源線 一條
說明書 一份
合格證 一份
保修卡 一份
試驗(yàn)步驟
1試樣的制備
試樣應(yīng)從固體材料上截取,為了滿足要求,應(yīng)按相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)方法的要求來制備。
應(yīng)精確地測(cè)量厚度,使偏差在士(0. 2%士。.005 mm)以內(nèi),測(cè)量點(diǎn)應(yīng)均勻地分布在試樣表面。必要時(shí),應(yīng)測(cè)其有效面積。
2條件處理
條件處理應(yīng)按相關(guān)規(guī)范規(guī)定進(jìn)行。
3測(cè)量
電氣測(cè)量按本標(biāo)準(zhǔn)或所使用的儀器(電橋)制造商推薦的標(biāo)準(zhǔn)及相應(yīng)的方法進(jìn)行。
在1 MHz或更高頻率下,必須減小接線的電感對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。此時(shí),可采用同軸接線系統(tǒng)(見圖1所示),當(dāng)用變電抗法測(cè)量時(shí),應(yīng)提供一個(gè)固定微調(diào)電容器。
電橋測(cè)量靈敏度
電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測(cè)量準(zhǔn)確度,希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。在下面的計(jì)算公式中,用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1 Rg/R4 Cn/Cx)
式中:U為測(cè)量電壓 伏特(V)
ω為角頻率2pf=314(50Hz)
Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量 皮法(pF)
Ig通用指另儀的電流5X10-10 安培(A)
Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500 歐姆(W)
R4橋臂R4電阻值3183 歐姆(W)
Cx被測(cè)試品電容值 皮法(pF)
指另裝置的技術(shù)特性:
(1) 工作電壓?12V
(2) 在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V/格, 電流靈敏度不低于2X10-9A/格
(3) 二次諧波 減不小于25db
(4) 三次諧波 減不小于50db
試驗(yàn)報(bào)告
試驗(yàn)報(bào)告中應(yīng)給出下列相關(guān)內(nèi)容:
絕緣材料的型號(hào)名稱及種類、供貨形式、取樣方法、試樣的形狀及尺寸和取樣日期(并注明試樣厚度和試樣在與電極接觸的表面進(jìn)行處理的情況);
試樣條件處理的方法和處理時(shí)間;
電極裝置類型,若有加在試樣上的電極應(yīng)注明其類型;
測(cè)量?jī)x器;
試驗(yàn)時(shí)的溫度和相對(duì)濕度以及試樣的溫度;
施加的電壓;
施加的頻率;
相對(duì)電容率ε(平均值);
介質(zhì)損耗因數(shù)tans(平均值);
試驗(yàn)日期;
相對(duì)電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)值以及由它們計(jì)算得到的值如損耗指數(shù)和損耗角,必要時(shí),應(yīng)給出與溫度和頻率的關(guān)系。
宏觀結(jié)構(gòu)不均勾性的介質(zhì)損耗
工程介質(zhì)材料大多數(shù)是不均勻介質(zhì)。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和氣相,各相在介質(zhì)中是統(tǒng)計(jì)分布口。由于各相的介電性不同,有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質(zhì)的電場(chǎng)分布不均勻,造成局部有較高的電場(chǎng)強(qiáng)度而引起了較高的損耗。但作為電介質(zhì)整體來看,整個(gè)電介質(zhì)的介質(zhì)損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。
漏導(dǎo)損耗
實(shí)際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì),在外電場(chǎng)的作用下,總有一些帶電粒子會(huì)發(fā)生移動(dòng)而引起微弱的電流,這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流,漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時(shí)使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”。由于實(shí)阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷,或多或少存在一些帶電粒子或空位,因此介質(zhì)不論在直流電場(chǎng)或交變電場(chǎng)作用下都會(huì)發(fā)生漏導(dǎo)損耗。
介質(zhì)損耗:絕緣材料在電場(chǎng)作用下,由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng),在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失,簡(jiǎn)稱介損。在交變電場(chǎng)作用下,電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數(shù)角Φ)的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。
損耗因子也指耗損正切,是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗(耗散的能量)的量度,一般情況下都期望耗損因子低些好
玻璃的損耗
復(fù)雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個(gè)部分:電導(dǎo)耗、松弛損耗和結(jié)構(gòu)損耗。哪一種損耗占優(yōu)勢(shì),取決于外界因素溫度和電場(chǎng)頻率。高頻和高溫下,電導(dǎo)損耗占優(yōu)勢(shì):在高頻下,主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動(dòng)造成的松弛損耗:在高頻和低溫下,主要是結(jié)構(gòu)損耗,其損耗機(jī)理目前還不清楚,可能與結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。般來說,簡(jiǎn)單玻璃的損耗是很小的,這是因?yàn)楹?jiǎn)單玻璃中的“分子”接近規(guī)則的排列,結(jié)構(gòu)緊密,沒有弱聯(lián)系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質(zhì)損耗大大增加,并且隨著加人量的增大按指數(shù)規(guī)律增大。這是因?yàn)閴A性氧化物進(jìn)人玻璃的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)后,使離子所在處點(diǎn)陣受到破壞,結(jié)構(gòu)變得松散,離子活動(dòng)性增大,造成電導(dǎo)損耗和松弛損耗增加。
Q值測(cè)量
a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
c.標(biāo)稱誤差
頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):
固有誤差:≤5%?滿度值的2%固有誤差:≤6%?滿度值的2%
工作誤差:≤7%?滿度值的2%工作誤差:≤8%?滿度值的2%
介質(zhì)損耗(dielectric loss)指的是絕緣材料在電場(chǎng)作用下,由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng),在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失,簡(jiǎn)稱介損。
介質(zhì)損耗因數(shù)(dielectric loss factor)指的是衡量介質(zhì)損耗程度的參數(shù)。
主要特點(diǎn):
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的,玻纖介電常數(shù)為5~6,樹脂大約是3,由于樹脂含量,硬化程度,溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差,傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易,尤其是薄膜樣品(小于10 mil)量測(cè)值偏低,。
安全措施
(1)高壓保護(hù):試品短路、擊穿或高壓電流波動(dòng),能迅速切斷高壓輸出。
(2)CVT保護(hù):設(shè)定自激電壓的過流點(diǎn),一旦超出設(shè)置的電流值,儀器自動(dòng)退出測(cè)量,不會(huì)損壞設(shè)備。
(3)接地檢測(cè):儀器有接地檢測(cè)功能,未接地時(shí)不能升壓測(cè)量。
(4)防誤操作:具備防誤操作設(shè)計(jì),能判別常見接線錯(cuò)誤,安全報(bào)警。
(5)防“容升”:測(cè)量大容量試品時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng),儀器能自動(dòng)跟蹤輸出電壓,保持試驗(yàn)電壓恒定。
低頻電橋
一般為高壓電橋,這不僅是由于靈敏度的緣故,也因?yàn)樵诘皖l下正是高電壓技術(shù)特別對(duì)電介質(zhì)損耗關(guān)注的問題。電容臂和測(cè)量臂兩者的阻抗大小在數(shù)量級(jí)上相差很多,結(jié)果,絕大部分電壓都施加在電容Cx和C}上,使電壓分配不平衡 上面給出的電橋平衡條件只是當(dāng)?shù)蛪涸?duì)高壓元件屏蔽時(shí)才成立。同時(shí),屏蔽必須接地,以保證平衡穩(wěn)定。如圖A. 2所示。屏蔽與使用被保護(hù)的電容C、和C、是一致的,這個(gè)保護(hù)對(duì)于Ch來說是必不可少的。
由于選擇不同的接地方法,實(shí)際上形成了兩類電橋。
高頻西林電橋
這種電橋通常在中等的電壓下工作,是比較靈活方便的一種電橋;通常電容CN是可變的(在高壓電橋中電容CN通常是固定的),比較容易采用替代法。
由于不期望電容的影響隨頻率的增加而增加,因此仍可有效使用屏蔽和瓦格納接地線路。
高頻電橋
由于它不再是一個(gè)高壓電橋,因此承受電壓U1的臂能容易地引人可調(diào)元件;替代法在此適用
還應(yīng)指出,帶有分開的初級(jí)繞組的電橋允許電源和檢測(cè)器互換位置。其平衡與在次級(jí)繞組中對(duì)應(yīng)
的安匝數(shù)的補(bǔ)償相符.
為什么介電常數(shù)越大,絕緣能力越強(qiáng)?
因?yàn)槲镔|(zhì)的介電常數(shù)和頻率相關(guān),通常稱為介電系數(shù)。
介電常數(shù)又叫介質(zhì)常數(shù),介電系數(shù)或電容率,它是表示絕緣能力特性的一個(gè)系數(shù)。所以理論上來說,介電常數(shù)越大,絕緣性能就越好。
注:這個(gè)性質(zhì)不是絕對(duì)成立的。
對(duì)于絕緣性不太好的材料(就是說不擊穿的情況下,也可以有一定的導(dǎo)電性)和絕緣性很好的材料比較,這個(gè)結(jié)論是成立的。
但對(duì)于兩個(gè)絕緣體就不一定了。
電介質(zhì)的用途
電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面:
用作電氣回路元件的支撐,并且使元件對(duì)地絕緣及元件之間相互絕緣;
用作電容器介質(zhì)
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