GEIC693CHS392
在測量漏源電壓VDS的上升時間tr和下降時間tf,或流經Q1和Q2的電流上升率di/dt 時,可以很明顯看到這一點。這也表示,我們可以很簡單地通過減緩Q1或Q2的通斷速度來降低電磁干擾水平。事實正是如此,延長開關時間的確對頻率高于 f=1/πtr的諧波有很大影響。不過,此時必須在增加散熱和降低損耗間進行折中。盡管如此,對這些參數加以控制仍是一個好方法
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它有助于在電磁干擾和熱性能間取得平衡。具體可以通過增加一個小阻值電阻(通常小于5Ω)實現,該電阻與Q1和Q2的柵極串聯即可控制tr和tf,你也可以給柵極電阻串聯一個 “關斷二極管”來獨立控制過渡時間tr或tf(見圖3)。這其實是一個迭代過程,甚至連經驗最豐富的電源設計人員都使用這種方法。我們的最終目標是通過放慢晶體管的通斷速度,使電磁干擾降低至可接受的水平,同時保證其溫度足夠低以確保穩定性。
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IC693APU300
IC693BEM331
IC693CBL328
IC693CBL329
IC693CBL330
IC693CHS391
IC693CHS392
IC693CHS398
IC693CHS398
IC693CMM302
IC693CMM311
IC693CMM321
IC693CMM321-CC
IC693CMM321-JJ
IC693CPU350
IC693CPU350
IC693CPU364
IC693CPU372
IC693CPU374
IC693CPU374
IC693CPU374
IC693DNM200
IC693DNS201
IC693DSM302
IC693MDL350
IC693MDL655
IC693MDL655
IC693MDL655
IC693MDL660
IC693MDL740
IC693MDL752
IC693MDL752
IC693MDL754
IC693MDL930
IC693MDL940
IC693MDR390
IC693NIU004
IC693PBM200
IC693PCM301
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