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高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

價(jià)格:20650元瀏覽:320次聯(lián)系:劉元元 / 15132636097 / 企業(yè):北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司留言店鋪收藏

高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀   高頻電橋
由于它不再是一個(gè)高壓電橋,因此承受電壓U1的臂能容易地引人可調(diào)元件;替代法在此適用
 還應(yīng)指出,帶有分開(kāi)的初級(jí)繞組的電橋允許電源和檢測(cè)器互換位置。其平衡與在次級(jí)繞組中對(duì)應(yīng)
的安匝數(shù)的補(bǔ)償相符.


高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀  GB/T 1409-2006標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在15 Hz-300 MHz的頻率范圍內(nèi)測(cè)量電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)的方法,并由此計(jì)算某些數(shù)值 ,如損耗指數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)中所敘述的某些方法,也能用于其他頻率下測(cè)量.

    本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量液體、易熔材料以及固體材料。測(cè)試結(jié)果與某些物理?xiàng)l件有關(guān),例如頻率、溫度、

濕度,在特殊情況下也與電場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)有時(shí)在超過(guò)1 000 V的電壓下試驗(yàn),則會(huì)引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無(wú)關(guān)的效應(yīng),對(duì)此不予論述.

 

主要配置:

a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái);

b.電感9只;

c.夾具一 套

 

技術(shù)參數(shù):

1.Q值測(cè)量

a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。

b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

c.標(biāo)稱誤差

     頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):

     固有誤差:≤5%?滿度值的2%固有誤差:≤6%?滿度值的2%

     工作誤差:≤7%?滿度值的2%工作誤差:≤8%?滿度值的2%

2.電感測(cè)量范圍:4.5nH~7.9mH

3.電容測(cè)量:1~205

     主電容調(diào)節(jié)范圍:18~220pF

     準(zhǔn)確度:150pF以下?1.5pF;150pF以上?1%

     注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)后頁(yè)使用說(shuō)明

4.  信號(hào)源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,

     CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,

5.Q合格指示預(yù)置功能:      預(yù)置范圍:5~1000。

6.B-測(cè)試儀正常工作條件

a.  環(huán)境溫度:0℃~ 40℃;

b.相對(duì)濕度:<80%;

c.電源:220V?22V,50Hz?2.5Hz。

7.其他

a.消耗功率:約25W;

b.凈重:約7kg;

c.外型尺寸:(l?b?h)mm:380?132?280。

 

標(biāo)準(zhǔn)配置:

高配Q表 一只  

試驗(yàn)電極 一只(c類)

電感     一套(9只)

電源線   一條

說(shuō)明書(shū)   一份

合格證   一份

保修卡   一份

 

形式

各種不同形式的損耗是綜合起作用的。由于介質(zhì)損耗的原因是多方面的,所以介質(zhì)損耗的形式也是多種多樣的。介電損耗主要有以下形式:

1)漏導(dǎo)損耗

實(shí)際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì),在外電場(chǎng)的作用下,總有一些帶電粒子會(huì)發(fā)生移動(dòng)而引起微弱的電流,這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流,漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時(shí)使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”。由于實(shí)阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷,或多或少存在一些帶電粒子或空位,因此介質(zhì)不論在直流電場(chǎng)或交變電場(chǎng)作用下都會(huì)發(fā)生漏導(dǎo)損耗。

2)極化損耗

在介質(zhì)發(fā)生緩慢極化時(shí)(松弛極化、空間電荷極化等),帶電粒子在電場(chǎng)力的影響下因克服熱運(yùn)動(dòng)而引起的能量損耗。

  一些介質(zhì)在電場(chǎng)極化時(shí)也會(huì)產(chǎn)生損耗,這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩(wěn)定所需時(shí)間很短(約為10-16~10-12s),這在無(wú)線電頻率(5?1012Hz以下)范圍均可認(rèn)為是極短的,因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化(例如松弛極化、空間電荷極化等)在外電場(chǎng)作用下,需經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間(10-10s或更長(zhǎng))才達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),因此會(huì)引起能量的損耗。

若外加頻率較低,介質(zhì)中所有的極化都能完全跟上外電場(chǎng)變化,則不產(chǎn)生極化損耗。若外加頻率較高時(shí),介質(zhì)中的極化跟不上外電場(chǎng)變化,于是產(chǎn)生極化損耗。[2]

3)電離損耗

  電離損耗(又稱游離損耗)是由氣體引起的,含有氣孔的固體介質(zhì)在外加電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)氣孔氣體電離所需要的電場(chǎng)強(qiáng)度時(shí),由于氣體的電離吸收能量而造成指耗,這種損耗稱為電離損耗。

  4)結(jié)構(gòu)損耗

在高頻電場(chǎng)和低溫下,有一類與介質(zhì)內(nèi)鄰結(jié)構(gòu)的緊密度密切相關(guān)的介質(zhì)損耗稱為結(jié)構(gòu)損耗。這類損耗與溫度關(guān)系不大,耗功隨頻率升高而增大。

試驗(yàn)表明結(jié)構(gòu)緊密的晶體成玻璃體的結(jié)構(gòu)損耗都很小,但是當(dāng)某此原因(如雜質(zhì)的摻入、試樣經(jīng)淬火急冷的熱處理等)使它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)松散后。其結(jié)構(gòu)耗就會(huì)大大升高。

5)宏觀結(jié)構(gòu)不均勾性的介質(zhì)損耗

工程介質(zhì)材料大多數(shù)是不均勻介質(zhì)。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和氣相,各相在介質(zhì)中是統(tǒng)計(jì)分布口。由于各相的介電性不同,有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質(zhì)的電場(chǎng)分布不均勻,造成局部有較高的電場(chǎng)強(qiáng)度而引起了較高的損耗。但作為電介質(zhì)整體來(lái)看,整個(gè)電介質(zhì)的介質(zhì)損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。

 

電橋測(cè)量靈敏度

 

    電橋在使用過(guò)程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測(cè)量準(zhǔn)確度,

 

希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量

 

成正比。

 

    在下面的計(jì)算公式中,用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這

 

個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。

 

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1 Rg/R4 Cn/Cx)   

 

         式中:U為測(cè)量電壓                    伏特(V)

 

ω為角頻率2pf=314(50Hz)                            

 

          Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                   皮法(pF)

 

          Ig通用指另儀的電流5X10-10            安培(A)

 

          Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆(W)

 

          R4橋臂R4電阻值3183                 歐姆(W)

 

          Cx被測(cè)試品電容值                   皮法(pF)

 

2.3電容量及介損顯示精度:

 

    電容量:?0.5%?tgδx?0.0001。

 

    介 損:?0.5%tgdx?1?10-4

 

2.4輔橋的技術(shù)特性:

 

    工作電壓?12V,50Hz

 

    輸入阻抗>1012 W

 

    輸出阻抗>0.6 W

 

    放大倍數(shù)>0.99

 

    不失真跟蹤電壓 0~12V(有效值)

 

2.5指另裝置的技術(shù)特性:

 

    工作電壓?12V

 

    在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V/格, 電流靈敏度不低于2X10-9A/格

 

    二次諧波 減不小于25db

 

    三次諧波 減不小于50db

 

特點(diǎn):

作為最新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器,測(cè)試頻率上限達(dá)到目前國(guó)內(nèi)最高的160MHz。

 

1雙掃描技術(shù)-測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。

 

2雙測(cè)試要素輸入-測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。

 

3雙數(shù)碼化調(diào)諧-數(shù)碼化頻率調(diào)諧,數(shù)碼化電容調(diào)諧。

 

4自動(dòng)化測(cè)量技術(shù)-對(duì)測(cè)試件實(shí)施Q值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。

 

5全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、Q值、信號(hào)源頻率、諧振指針。

 

6 DDS數(shù)字直接合成的信號(hào)源-確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。

 

7計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路最優(yōu)化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至最低,徹底根除Q讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。

 

介電常數(shù)又叫介質(zhì)常數(shù),介電系數(shù)或電容率,它是表示絕緣能力特性的一個(gè)系數(shù)。所以理論上來(lái)說(shuō),介電常數(shù)越大,絕緣性能就越好。

 

注:這個(gè)性質(zhì)不是絕對(duì)成立的。

 

對(duì)于絕緣性不太好的材料(就是說(shuō)不擊穿的情況下,也可以有一定的導(dǎo)電性)和絕緣性很好的材料比較,這個(gè)結(jié)論是成立的。

 

但對(duì)于兩個(gè)絕緣體就不一定了。

 

介電常數(shù)反映的是材料中電子的局域(local)特性,導(dǎo)電性是電子的全局(global)特征.不是一回事情的。

補(bǔ)充:

 

電介質(zhì)經(jīng)常是絕緣體。其例子包括瓷器(陶器),云母,玻璃,塑料,和各種金屬氧化物。有些液體和氣體可以作為好的電介質(zhì)材料。干空氣是良好的電介質(zhì),并被用在可變電容器以及某些類型的傳輸線。蒸餾水如果保持沒(méi)有雜質(zhì)的話是好的電介質(zhì),其相對(duì)介電常數(shù)約為80。

 

對(duì)于時(shí)變電磁場(chǎng),物質(zhì)的介電常數(shù)和頻率相關(guān),通常稱為介電系數(shù)。介電常數(shù)又叫介質(zhì)常數(shù),介電系數(shù)或電容率,它是表示絕緣能力特性的一個(gè)系數(shù)

 

工作場(chǎng)所:盡可能使用非導(dǎo)電的工作桌工作臺(tái)。操作人員和待測(cè)物之間不得使用任何金屬。操作人員的位置不得有跨越待測(cè)物去操作或調(diào)整測(cè)試儀器的現(xiàn)象。測(cè)試場(chǎng)所必須隨時(shí)保持整齊、干凈,不得雜亂無(wú)章。測(cè)試站及其周邊之空氣中不能含有可燃?xì)怏w或在易燃物質(zhì)。

 

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