渦輪分子泵應用于磁控濺射系統(tǒng)
磁控濺射 Megnetron Sputtering 是物理氣相沉積 Physical Vapor Deposition, 簡稱 PVD 的一種, 可用于金屬及氧化物薄膜的制備, 具有設備簡單, 易于控制, 鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點, 磁控濺射系統(tǒng)對真空要求較高, 真空度一般要求在 5*10-7 至 10-10 mbar, 因此需要配置性能穩(wěn)定的分子泵.
上海伯東渦輪分子泵應用于磁控濺射鍍膜機客戶案例: 某研究所磁控濺射系統(tǒng)用于光刻膠片上濺金屬鉻, 銅, 鈦. 其中材料生長腔工作真空度要求 < 10-7 hPa, 能做到4英寸片, 3靶位, 可實現編程鍍膜. 材料生長腔對渦輪分子泵的要求較高, 經過伯東推薦加裝普發(fā) Pfeiffer 分子泵 HiPace 700.
超過真空系統(tǒng)配置:
渦輪分子泵 HiPace 700 | |
![]() | 全量程真空規(guī) PKR 251 |
HVA 超過真空閘閥 11000 |
Pfeiffer 渦輪分子泵抽速范圍 10 至 2700 L/S, 轉速最高 90,000 rpm, 極限真空最大 1E-11 mbar, 對小分子氣體具有更高的壓縮比, 實踐證明 Pfeiffer 渦輪分子泵運行時間可以達到 100,000 小時! 普發(fā)分子泵提供復合軸承分子泵和五軸全磁浮分子泵二大系列滿足不同應用, 推薦搭配 Pfeiffer 旋片泵和干泵共同使用. 更多分子泵典型應用 >>
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